相關(guān)資訊：羅姆

2.3億美元，羅姆與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC晶圓供應(yīng)合同
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 22 日 17:59 | 分類 企業(yè)
4月22日，羅姆與意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH（以下簡稱“SiCrystal”）將擴(kuò)大目前已持續(xù)多年的150mm（6英寸） SiC晶圓長期供應(yīng)合同。 擴(kuò)大后的合同約定未來數(shù)年向意法半導(dǎo)體供應(yīng)在德國紐倫堡生產(chǎn)的SiC晶圓，預(yù)計(jì)合同期...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分類 功率
近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進(jìn)展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內(nèi)文]

193億，羅姆和東芝攜手生產(chǎn)SiC功率器件
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 08 日 17:27 | 分類 功率
12月7日，根據(jù)外國媒體報(bào)道，為鞏固自身在電動(dòng)汽車零部件領(lǐng)域的地位，羅姆（ROHM）和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計(jì)劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對(duì)SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資，兩者將依據(jù)對(duì)方生產(chǎn)力優(yōu)勢(shì)進(jìn)行互補(bǔ)，有效提高供...  [詳內(nèi)文]

羅姆宣布明年在日本生產(chǎn)8英寸SiC襯底
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 07 日 17:28 | 分類 功率
羅姆半導(dǎo)體（Rohm）株式會(huì)社社長松本功近日在2023年11月財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預(yù)計(jì)將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。 據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項(xiàng)目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的一部分...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)153億美元半導(dǎo)體收購案，羅姆也要參與？
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本芯片制造商羅姆公司將向私募股權(quán)公司Japan Industrial Partners（JIP）牽頭的財(cái)團(tuán)提供總計(jì)3000億日元（約21.6億美元）的資金，用于擬議收購東芝。 羅姆在近期的董事會(huì)會(huì)議上決定，如果要約收購成功，將向JIP領(lǐng)導(dǎo)的投資基金投資1000億...  [詳內(nèi)文]

比亞迪、天岳先進(jìn)、羅姆擴(kuò)產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 13 日 14:11 | 分類 碳化硅SiC
近期，SiC行業(yè)熱情持續(xù)高漲，市場又傳來了不少與擴(kuò)產(chǎn)相關(guān)的消息，其中三家分別是天岳先進(jìn)、比亞迪及羅姆ROHM。 天岳半導(dǎo)體6英寸SiC襯底產(chǎn)能將擴(kuò)大至96萬片/年 天岳先進(jìn)在上海臨港擴(kuò)建SiC項(xiàng)目，該項(xiàng)目由其全資子公司天岳半導(dǎo)體主導(dǎo)。5月消息，上海臨港新片區(qū)管理委員會(huì)對(duì)外公示了...  [詳內(nèi)文]

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開關(guān)器件性能
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]