據(jù)悉，在半導體工藝制程中，芯片內(nèi)阻越小，芯片面積越大，單芯片上缺點數(shù)越高，芯片的良率也會越差。對于10mΩ級別內(nèi)阻的GaN芯片，制造難度較大。而云鎵半導體近日在10mΩ內(nèi)阻GaN芯片研發(fā)方面取得了突破。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 近日，據(jù)云鎵半導體官微披露，其自主研發(fā)了650V...  [詳內(nèi)文]