作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強(qiáng)（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。
目前，中國、日本、韓國等國的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方... [詳內(nèi)文]
日本團(tuán)隊(duì)不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體 |
| 作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) |