近日，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。
得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí)... [詳內(nèi)文]
國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè) |