5月10日，連城數(shù)控官微消息顯示，第二屆第三代半導(dǎo)體晶體生長技術(shù)與市場研討會5月9日在江蘇無錫舉行。會上，連科半導(dǎo)體發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實(shí)現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設(shè)備的全面供應(yīng)。該設(shè)備具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點(diǎn)。
source：連城數(shù)控
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供貨天岳先進(jìn)，連科半導(dǎo)體發(fā)布8英寸SiC長晶爐 |
| 作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 05 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) |