5月10日，連城數(shù)控官微消息顯示，第二屆第三代半導體晶體生長技術與市場研討會5月9日在江蘇無錫舉行。會上，連科半導體發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設備的全面供應。該設備具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點。
source：連城數(shù)控
會上，連科... [詳內文]
供貨天岳先進，連科半導體發(fā)布8英寸SiC長晶爐 |
| 作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 05 月 10 日 18:00 | 分類 企業(yè) |