根據(jù)集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報(bào)告《2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報(bào)告》，Micro LED技術(shù)發(fā)展早期以專利布局為主，以SONY、CREE及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機(jī)構(gòu)，直至2014年因APPLE收購LuxVue之后，進(jìn)而帶動(dòng)其他業(yè)者加速發(fā)展Micro LED領(lǐng)域。另外，全世界不同區(qū)域廠商對(duì)于Micro LED布局也有不同的策略及發(fā)展。比如臺(tái)廠以專業(yè)代工為主；韓廠以策略合作方式發(fā)展；日廠以集團(tuán)內(nèi)發(fā)展為主；歐美廠商多半以新創(chuàng)公司及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)布局于該領(lǐng)域；中國大陸廠商則發(fā)展較慢，多半處于研究與評(píng)估階段。
Micro LED發(fā)展歷程
Micro LED的發(fā)展，早期以專利布局為主，在2000年至2013年期間屬于“萌芽期”，市場(chǎng)需求不明下僅有少數(shù)先驅(qū)者進(jìn)行專利的布局，以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機(jī)構(gòu)， 2014年之后躍入“成長(zhǎng)期”，主要原因是來自于APPLE收購LuxVue之后，并且展現(xiàn)出對(duì)于Micro LED顯示技術(shù)的信心，進(jìn)而帶動(dòng)其他業(yè)者及新創(chuàng)公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等，這兩年來已經(jīng)出現(xiàn)面板廠的專利布局，比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中，在眾多Micro LED的專利申請(qǐng)中，前三大專利的技術(shù)為巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、顯示模組技術(shù)及芯片制程技術(shù)，合計(jì)占所有專利的80%。
Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析
而這幾年來國際大廠也紛紛加入Micro LED的技術(shù)開發(fā)，大多是以購并、成立公司內(nèi)部新事業(yè)單位或新創(chuàng)公司的方式，來進(jìn)行Micro LED的發(fā)展，這些公司以本身既有的專精領(lǐng)域來做垂直或橫向的發(fā)展，大致可以分為L(zhǎng)ED磊晶、轉(zhuǎn)移、面板及品牌等方面，在LED磊晶方面，主要以LED磊晶廠發(fā)展最適合，而巨量轉(zhuǎn)移部份是技術(shù)門檻也是較多廠商投入的領(lǐng)域。中國大陸、中國臺(tái)灣、韓國、日本及歐美的廠商對(duì)Micro LED布局程度也有所不同，比如：中國臺(tái)灣廠商多半是以專業(yè)代工為主，包括友達(dá)光電，晶元光電，以及PlayNitride等公司，都與國際大廠進(jìn)行深入的合作。
中國大陸廠商在Micro LED的發(fā)展腳步較慢。最主要原因中國大陸廠商偏好能夠快入導(dǎo)入量產(chǎn)的技術(shù)。因此對(duì)于Micro LED技術(shù)多半處于研究與評(píng)估階段。但部分廠商已經(jīng)悄悄布局與投資。
韓國廠商在顯示器領(lǐng)域的技術(shù)布局完整。但是由于韓國廠商的主要資源均集中于OLED產(chǎn)品上，因此對(duì)于Micro LED技術(shù)則是采取策略合作的方式來參與該技術(shù)的開發(fā)與研究。
日本廠商在Micro LED領(lǐng)域，以SONY最為領(lǐng)先，并且布局完整。但是由于日本廠商的供應(yīng)鏈相對(duì)封閉，并且多半在集團(tuán)內(nèi)自制完成。因此其他的日本廠商主要是以設(shè)備商，或是材料商才有辦法參與其中。而值得關(guān)注的是，日韓廠商由于本身在大尺寸的電視領(lǐng)域已占據(jù)主導(dǎo)地位，因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術(shù)的開發(fā)。
歐美廠商多半以新創(chuàng)公司以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)布局于該領(lǐng)域。近年來隨系統(tǒng)大廠逐漸投入開發(fā)該技術(shù)，并且透過轉(zhuǎn)投資與收購的方式進(jìn)行專利布局在巨量轉(zhuǎn)移的領(lǐng)域。至于面板領(lǐng)域，則是由于面板的投資金額過高，因此主要與亞洲的面板廠商進(jìn)行合作開發(fā)。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應(yīng)用，如手機(jī)、投影與穿戴裝置，因此技術(shù)局領(lǐng)域多朝此方面發(fā)展。
2019年1月LEDinside針對(duì)于2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分析。如需詳細(xì)資料，歡迎來電或來信。謝謝您！
LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報(bào)告
出刊時(shí)間：2019年01月31日
檔案格式：PDF
報(bào)告語系：繁體中文 /英文
頁數(shù)： 213
季度更新：Micro / Mini LED市場(chǎng)觀點(diǎn)分析 – 廠商動(dòng)態(tài)、新技術(shù)導(dǎo)入、Display Week / Touch Taiwan展場(chǎng)直擊（2019年3月、6月、9月；約計(jì)10-15頁/季）
第一章 Micro LED定義與市場(chǎng)規(guī)模分析
Micro LED產(chǎn)品定義
Micro LED產(chǎn)值分析與預(yù)測(cè)
Micro LED產(chǎn)量分析與預(yù)測(cè)
Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)量分析
Micro LED Display滲透率預(yù)測(cè)
第二章 Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品總覽
Micro LED產(chǎn)品應(yīng)用規(guī)格總覽
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 頭戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 穿戴式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 手持式裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT 顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – IT裝置出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 車用顯示器出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視顯示器裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – 電視出貨量與時(shí)程表預(yù)估
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏規(guī)格發(fā)展趨勢(shì)
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏裝置成本分析
Micro LED應(yīng)用產(chǎn)品 – LED顯示屏出貨量與時(shí)程表預(yù)估
第三章 Micro LED專利布局分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 歷年專利家族分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 區(qū)域分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 技術(shù)分析
2000-2018 Micro LED專利布局 – 廠商分析
2001-2018 Micro LED專利布局 – 歷年巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)總覽
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 專利技術(shù)分類
2001-2018 Micro LED專利布局 – 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)專利家族分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 品牌廠商技術(shù)布局分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 新創(chuàng)公司與研究機(jī)構(gòu)技術(shù)布局分析
第四章 Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案
Micro LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)總覽分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 制造流程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – LED磊晶與芯片制程
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 轉(zhuǎn)移技術(shù)/黏接技術(shù)/驅(qū)動(dòng)與背板技術(shù)
第五章 磊晶技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
磊晶技術(shù) – 解決方案
磊晶技術(shù) – 磊晶架構(gòu)與發(fā)光原理
磊晶技術(shù) – 磊晶發(fā)光層材料與光效
磊晶技術(shù) – 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 設(shè)備技術(shù)比較
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 波長(zhǎng)均一性
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶缺陷控制
磊晶技術(shù) – 外延片關(guān)鍵技術(shù)分類 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技術(shù) – 適用性分析
第六章 芯片制程技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
芯片制程技術(shù) – LED芯片微縮的發(fā)展
芯片制程技術(shù) – LED芯片生產(chǎn)流程
芯片制程技術(shù) – 水平，覆晶與垂直芯片結(jié)構(gòu)性之差異
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 微型化LED芯片（不含藍(lán)寶石基板）切割技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 激光剝離基板技術(shù)
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)與絕緣層
芯片制程技術(shù) – 弱化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 巨量轉(zhuǎn)移頭設(shè)計(jì)
芯片制程技術(shù) – 傳統(tǒng)LED與Micro LED芯片制程差異
第七章 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 拾取放置技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 非選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 選擇性拾取技術(shù)以提升晶圓利用率
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 修補(bǔ)應(yīng)用上的選擇性拾取技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 影響產(chǎn)能的因素
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 大型轉(zhuǎn)移頭尺寸提升產(chǎn)能的方案
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移頭精準(zhǔn)度要求更高
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移次數(shù)和晶圓利用率比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移運(yùn)轉(zhuǎn)周期與產(chǎn)能比較
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Apple (LuxVue)
靜電吸附+相變化轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)：Samsung
芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn)方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 凡得瓦力轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：X-Celeprint
凡得瓦力轉(zhuǎn)印方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：ITRI
電磁力轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹： Mikro Mesa
利用黏合力與反作用力轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：AUO
靜電吸附力與反作用力方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：VueReal
Solid Printing技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Rohinni
頂針對(duì)位轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 流體組裝技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：eLux
流體裝配方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：PlayNitride
流體分散轉(zhuǎn)印技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 激光轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Sony
激光轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：QMAT
BAR轉(zhuǎn)移方式
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：Uniqarta
多光束轉(zhuǎn)移技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)-薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) – 滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)流程
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)介紹：KIMM
滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上面臨七大挑戰(zhàn)
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 轉(zhuǎn)移制程良率取決于制程能力的控制
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù) – 適用性分析
第八章 檢測(cè)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 檢測(cè)技術(shù)流程
檢測(cè)技術(shù) – 檢測(cè)方式
檢測(cè)技術(shù) – 電特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 電致發(fā)光(EL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 光特性檢測(cè)
檢測(cè)技術(shù) – 光致發(fā)光(PL)原理
檢測(cè)技術(shù) – 巨量檢測(cè)技術(shù)總覽
巨量檢測(cè)方式 – 光致發(fā)光檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 數(shù)碼相機(jī)光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 非接觸式EL檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)方式 – 紫外線照射光電檢測(cè)技術(shù)
巨量檢測(cè)技術(shù)差異性比較
第九章 維修技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
Micro LED技術(shù)瓶頸與解決方案總覽 – 維修技術(shù)
Micro LED維修技術(shù)方案
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
Micro LED的壞點(diǎn)維修流程
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
壞點(diǎn)維修技術(shù)分析
維修技術(shù)方案 – 紫外線照射維修技術(shù)
轉(zhuǎn)移頭拾取之過程
維修技術(shù)方案 – 激光熔接維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性拾取維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 選擇性激光維修技術(shù)
維修技術(shù)方案 – 備援電路設(shè)計(jì)方案
Micro LED的主動(dòng)缺陷偵測(cè)設(shè)計(jì)
第十章 全彩化技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
全彩化技術(shù)解決方案種類
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB芯片色彩化技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – RGB在相同晶圓上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)與應(yīng)用
全彩化技術(shù)解決方案 – 量子井的色轉(zhuǎn)換技術(shù)
全彩化技術(shù)解決方案 – 總覽
全彩化技術(shù)解決方案 – 適用性分析
第十一章 接合技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
接合技術(shù) – 技術(shù)分類
接合技術(shù) – 表面黏著技術(shù)方案
接合技術(shù) – 共晶波焊組裝技術(shù)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠(ACF)方案
接合技術(shù) – 異方性導(dǎo)電膠水(SAP)方案
接合技術(shù) – 晶圓結(jié)合技術(shù)(Wafer Bonding)方案
接合技術(shù) – 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
接合技術(shù) – Micro TUBE方案
接合技術(shù) – 技術(shù)困難度分析
接合技術(shù) – 適用性分析
第十二章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)方案分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 驅(qū)動(dòng)IC的重要性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – LED的伏安特性與光通量關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 開關(guān)電源控制PWM與Duty Cycle的關(guān)系
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)與被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)比較
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 掃描方式與畫面更新率
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – 顯示屏驅(qū)動(dòng)方案 – 小間距顯示屏問題點(diǎn)分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 液晶顯示器之驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng) V.S 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – TFT薄膜電晶體 – 影響顯示品質(zhì)之干擾因素分析
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – OLED的光電特性
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – OLED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
驅(qū)動(dòng)技術(shù) – Micro LED驅(qū)動(dòng)方案 – 主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)
OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅(qū)動(dòng)模組差異性
第十三章 驅(qū)動(dòng)技術(shù)瓶頸與挑戰(zhàn)分析
背板技術(shù) – 顯示器背板的架構(gòu)
背板技術(shù) – 背板材料的分類
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件運(yùn)作原理
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸發(fā)展
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板脹縮挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 整合式背板-玻璃基板搭配開關(guān)元件應(yīng)用現(xiàn)況
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS畫素開關(guān)元件制程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件解析度差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件功耗差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 玻璃基板畫素開關(guān)元件漏電性差異
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板基板與畫素開關(guān)元件特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – 可撓式基板材料特性
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板架構(gòu)
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技術(shù) – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板外觀架構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板結(jié)構(gòu)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材熱效應(yīng)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板基材差異性比較
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板制作挑戰(zhàn)
背板技術(shù) – 非整合式背板 – 印刷電路板尺寸限制
背板技術(shù)差異性比較
背板技術(shù) – 適用性分析
第十四章 Micro LED供應(yīng)鏈與廠商布局分析
全球Micro LED主要廠商供應(yīng)鏈分析
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國臺(tái)灣廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 中國大陸廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 韓國廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 日本廠商
區(qū)域廠商產(chǎn)品策略與開發(fā)動(dòng)態(tài)分析 – 歐美廠商
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