3月22日，證監(jiān)會發(fā)布了關(guān)于同意南京晶升裝備股份有限公司（以下簡稱：晶升裝備）首次公開發(fā)行股票注冊的批復(fù)，同意晶升裝備科創(chuàng)板IPO注冊。
據(jù)悉，晶升裝備基于高溫高真空晶體生長設(shè)備的技術(shù)同源性，致力于新產(chǎn)品、新技術(shù)及新工藝的研究與開發(fā)，并聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍寶石單晶爐等定制化的晶體生長設(shè)備。
目前，晶升裝備已得到了眾多主流半導(dǎo)體廠商的認可。其中，半導(dǎo)體級單晶硅爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括滬硅產(chǎn)業(yè)（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）和神工股份等，碳化硅單晶爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括三安光電、東尼電子及浙江晶越等。
業(yè)績方面，2019年-2022年上半年，晶升裝備營業(yè)收入分別為2,295.03萬元、12,233.17萬元、19,492.37萬元和6,505.58萬元，銷售規(guī)模整體呈增長趨勢。
值得一提的是，2018年以來，隨著下游新能源汽車、光伏、工控、射頻通信等領(lǐng)域市場的快速發(fā)展，國內(nèi)碳化硅行業(yè)開始步入快速發(fā)展階段。
在此背景下，晶升裝備自2018年起率先投入4-6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶爐研發(fā)，2019年實現(xiàn)首臺產(chǎn)品銷售，產(chǎn)品于2020年開始批量化投入下游碳化硅功率器件（導(dǎo)電型襯底）應(yīng)用領(lǐng)域驗證及應(yīng)用；2020年又完成6英寸半絕緣型碳化硅單晶爐研發(fā)、改進、定型，同年其半絕緣型碳化硅單晶爐實現(xiàn)向天岳先進的首臺供應(yīng)及產(chǎn)品驗證。
而來自碳化硅單晶爐的營收也在節(jié)節(jié)攀升，目前已經(jīng)成為晶升裝備最大的收入來源。
據(jù)了解，晶升裝備生產(chǎn)的碳化硅單晶爐主要應(yīng)用于6英寸碳化硅單晶襯底，包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型碳化硅晶體生長及襯底制備。
本次登陸科創(chuàng)板，晶升裝備擬募資47,620.39萬元，投向以下項目：
其中，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”將建設(shè)集經(jīng)營辦公和新產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)于一體的綜合性總部大樓與廠房，計劃涵蓋的主要研發(fā)內(nèi)容有：
1.半導(dǎo)體硅NPS晶體單晶爐研發(fā)：針對14-28nm工藝存儲用拋光片單晶爐進行研發(fā)，開發(fā)適合NPS單晶生長的熱場及工藝，升級控制硬件及策略，提高NPS晶體產(chǎn)出良率。
2.6-8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)：推動碳化硅單晶爐向6-8英寸拓展，在現(xiàn)有感應(yīng)加熱PVT碳化硅單晶爐的基礎(chǔ)上，深入挖掘各項設(shè)備性能參數(shù)，從設(shè)計、制造、安裝、調(diào)試、維護等方面著手，提高操作便利性、減小機差，提高工藝可復(fù)制性，使設(shè)備能夠穩(wěn)定產(chǎn)出適合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶錠。
3.溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統(tǒng)：針對當前PVT法溫度梯度可控性差的問題，進一步開發(fā)包括電阻式加熱、液相法等其他碳化硅長晶技術(shù)，實現(xiàn)更優(yōu)的可控的單晶爐加熱。
產(chǎn)能提升方面，晶升裝備指出，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”達產(chǎn)后可實現(xiàn)各類晶體生長設(shè)備年產(chǎn)量400余臺；而“半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項目”達產(chǎn)后可生產(chǎn)各類晶體生長設(shè)備700余臺/年。（化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理）
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