在消費類電子領(lǐng)域,氮化鎵于手機、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及,大大滿足了消費者對移動設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機內(nèi)部,電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET,其體積與阻抗的限制,不僅占據(jù)了手機主板的大量空間,且在面對大功率快充時,硅MOSFET會產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗,影響快充的穩(wěn)定性與大功率充電持續(xù)時間。
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,具備高頻高效、低導(dǎo)阻等優(yōu)越特性,應(yīng)用于手機主板也具備極大優(yōu)勢。
Source:英諾賽科
2022年,英諾賽科開創(chuàng)了氮化鎵 40V 器件平臺,并率先將雙向?qū)?VGaN INN040W048A(40V/4.8mΩ)產(chǎn)品成功導(dǎo)入Oppo、Realme 手機主板內(nèi)部,實現(xiàn)體積減少64%,峰值功率發(fā)熱降低85%等優(yōu)越性能表現(xiàn),獲得了良好的市場反饋。基于40V 平臺的迭代與升級,近期,英諾賽科 VGaN 家族迎來了兩名新成員:INN040W080A、INN040W120A。
INN040W080A
產(chǎn)品特性:
支持雙向?qū)?,無反向恢復(fù)
40V/8mΩ 超低導(dǎo)通電阻
1.7mmx1.7mm WLCSP封裝,寄生參數(shù)小
應(yīng)用領(lǐng)域:
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
智能手機USB端口中的OVP保護(hù)
多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
INN040W120A
產(chǎn)品特性:
支持雙向?qū)?,無反向恢復(fù)
40V/12mΩ 超低導(dǎo)通電阻
1.7mmx1.7mm WLCSP封裝,寄生參數(shù)小
應(yīng)用領(lǐng)域:
高側(cè)負(fù)載開關(guān)
智能手機USB端口中的OVP保護(hù)
多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
INN040W080A、INN040W120A延續(xù)了 InnoGaN 導(dǎo)通電阻低、封裝寄生參數(shù)小、開關(guān)速度快、無反向恢復(fù)等諸多特性,在高壓側(cè)負(fù)載開關(guān),智能手機 USB /無線充電端口內(nèi)置 OVP 保護(hù),多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等場景中,能更好地體現(xiàn)低阻抗、高效率與高功率密度三大優(yōu)勢。
VGaN 三大亮點
僅使用1顆VGaN 就能替代傳統(tǒng)共漏連接的背靠背NMOS,實現(xiàn)更低導(dǎo)通損耗的手機電池充、放電功能,并節(jié)省手機內(nèi)部寶貴的空間;
降低手機在充電過程中的溫升,在快速充電時可以保持比較舒適的機身溫度,延長電池使用時間,為用戶提供良好的充電體驗;
使氮化鎵在更高功率的快充場景中具備競爭力,實現(xiàn)手機內(nèi)部GaN芯片“零” 的突破。
英諾賽科VGaN 系列新增的兩款40V雙向?qū)ㄐ酒云洳煌膶?dǎo)通電阻,拓展了更廣的功率場景,不僅為客戶設(shè)計選型提供更多參考,還進(jìn)一步擴大了氮化鎵在消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用。而基于大規(guī)模8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)、制造與迭代,英諾賽科的產(chǎn)品質(zhì)量和成本優(yōu)勢也已在行業(yè)中得到體現(xiàn)。(文:英諾賽科)
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