3月22日，證監(jiān)會(huì)發(fā)布了關(guān)于同意南京晶升裝備股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：晶升裝備）首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊(cè)的批復(fù)，同意晶升裝備科創(chuàng)板IPO注冊(cè)。
據(jù)悉，晶升裝備基于高溫高真空晶體生長(zhǎng)設(shè)備的技術(shù)同源性，致力于新產(chǎn)品、新技術(shù)及新工藝的研究與開(kāi)發(fā)，并聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍(lán)寶石單晶爐等定制化的晶體生長(zhǎng)設(shè)備。
目前，晶升裝備已得到了眾多主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。其中，半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括滬硅產(chǎn)業(yè)（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）和神工股份等，碳化硅單晶爐業(yè)務(wù)的主要客戶包括三安光電、東尼電子及浙江晶越等。
業(yè)績(jī)方面，2019年-2022年上半年，晶升裝備營(yíng)業(yè)收入分別為2,295.03萬(wàn)元、12,233.17萬(wàn)元、19,492.37萬(wàn)元和6,505.58萬(wàn)元，銷(xiāo)售規(guī)模整體呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。
值得一提的是，2018年以來(lái)，隨著下游新能源汽車(chē)、光伏、工控、射頻通信等領(lǐng)域市場(chǎng)的快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)碳化硅行業(yè)開(kāi)始步入快速發(fā)展階段。
在此背景下，晶升裝備自2018年起率先投入4-6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶爐研發(fā)，2019年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)產(chǎn)品銷(xiāo)售，產(chǎn)品于2020年開(kāi)始批量化投入下游碳化硅功率器件（導(dǎo)電型襯底）應(yīng)用領(lǐng)域驗(yàn)證及應(yīng)用；2020年又完成6英寸半絕緣型碳化硅單晶爐研發(fā)、改進(jìn)、定型，同年其半絕緣型碳化硅單晶爐實(shí)現(xiàn)向天岳先進(jìn)的首臺(tái)供應(yīng)及產(chǎn)品驗(yàn)證。
而來(lái)自碳化硅單晶爐的營(yíng)收也在節(jié)節(jié)攀升，目前已經(jīng)成為晶升裝備最大的收入來(lái)源。
據(jù)了解，晶升裝備生產(chǎn)的碳化硅單晶爐主要應(yīng)用于6英寸碳化硅單晶襯底，包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類(lèi)別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型碳化硅晶體生長(zhǎng)及襯底制備。
本次登陸科創(chuàng)板，晶升裝備擬募資47,620.39萬(wàn)元，投向以下項(xiàng)目：
其中，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”將建設(shè)集經(jīng)營(yíng)辦公和新產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)于一體的綜合性總部大樓與廠房，計(jì)劃涵蓋的主要研發(fā)內(nèi)容有：
1.半導(dǎo)體硅NPS晶體單晶爐研發(fā)：針對(duì)14-28nm工藝存儲(chǔ)用拋光片單晶爐進(jìn)行研發(fā)，開(kāi)發(fā)適合NPS單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)及工藝，升級(jí)控制硬件及策略，提高NPS晶體產(chǎn)出良率。
2.6-8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)：推動(dòng)碳化硅單晶爐向6-8英寸拓展，在現(xiàn)有感應(yīng)加熱PVT碳化硅單晶爐的基礎(chǔ)上，深入挖掘各項(xiàng)設(shè)備性能參數(shù)，從設(shè)計(jì)、制造、安裝、調(diào)試、維護(hù)等方面著手，提高操作便利性、減小機(jī)差，提高工藝可復(fù)制性，使設(shè)備能夠穩(wěn)定產(chǎn)出適合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶錠。
3.溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統(tǒng)：針對(duì)當(dāng)前PVT法溫度梯度可控性差的問(wèn)題，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)包括電阻式加熱、液相法等其他碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的可控的單晶爐加熱。
產(chǎn)能提升方面，晶升裝備指出，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)各類(lèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備年產(chǎn)量400余臺(tái)；而“半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后可生產(chǎn)各類(lèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備700余臺(tái)/年。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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