有消息稱，iPhone 15機型雖均采用與iPhone 14 Pro機型相同的動態(tài)島設(shè)計，但差別在于iPhone 14 Pro將proximity sensor放置屏下/在動態(tài)島外，而iPhone 15系列則在動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，將proximity sensor放置在動態(tài)島內(nèi)?；诖烁淖儯現(xiàn)inisar (被Coherent/II-VI收購) 將改供應(yīng)波長940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro為1380nm)，而上游epi wafer供應(yīng)商也改為IQE。
近日，有消息傳英國廠商IQE將取代臺企聯(lián)亞，成為蘋果iPhone 15系列的近距離傳感器的外延晶圓獨家供應(yīng)商。
據(jù)天風(fēng)國際證券分析師郭明錤在3月24 日于社交平臺發(fā)文表示，IQE將取代聯(lián)亞，成為iPhone 15系列的proximity sensor的磊晶晶圓 (epi wafer) 獨家供應(yīng)商。所有iPhone 15機型雖均采用與iPhone 14 Pro機型相同的動態(tài)島設(shè)計，但差別在于iPhone 14 Pro將proximity sensor放置屏下/在動態(tài)島外，而iPhone 15系列則在動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，將proximity sensor放置在動態(tài)島內(nèi)。
基于此改變，F(xiàn)inisar (被Coherent/II-VI收購) 將改供應(yīng)波長940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro為1380nm)，而上游epi wafer供應(yīng)商也改為IQE。
近距離傳感器用來感測物體的距離，并相對應(yīng)地做出該有的反應(yīng)，比如當手機用戶接聽電話或者裝進口袋時，傳感器可以判斷出手機貼近了人的臉部或者衣服而關(guān)閉屏幕的觸控功能，以防止錯誤操作。郭明錤認為，iPhone 15系列動態(tài)島面積幾乎沒有變化下，但近距離傳感器將放在動態(tài)島內(nèi)，因此Finisar將改供應(yīng)波長940nm的近接傳感器，而上游外延芯片供應(yīng)商也改為IQE，而非目前的聯(lián)亞。
簡而言之，蘋果公司可能是為了提高iPhone 15系列的近接傳感器性能和設(shè)計效果，才選擇了IQE作為新的供應(yīng)商。
IQE和聯(lián)亞都是生產(chǎn)以砷化鎵與磷化銦為基板的Ⅲ-Ⅴ族材料化合物的磊芯片的公司。IQE是英國的外延晶圓大廠，而聯(lián)亞是中國臺灣地區(qū)的光通信模塊臺廠。
據(jù)悉，IQE是一家倫敦上市公司，專注于基于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN) 和硅的先進硅和化合物半導(dǎo)體材料。該公司是通過金屬有機氣相外延(MOCVD)、分子束外延(MBE) 和化學(xué)氣相沉積(CVD)制造外延片的最大獨立外包生產(chǎn)商。
IQE 由 Drew Nelson 和 Michael Scott 于 1988 年創(chuàng)立，前身是Epitaxial Products International ( EPI )。最初，該公司專門為主要用于光纖通信的光電設(shè)備生產(chǎn)外延片。金屬有機化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)技術(shù)用于生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管(LED) 和光電探測器，設(shè)計用于在 1300 nm 和 1550 nm 的波長下工作，用于長距離光纖通信。
1999 年，Epitaxial Products International 與位于賓夕法尼亞州的 Quantum Epitaxial Designs (QED) 合并，成立了 IQE。QED 由 Tom Hierl 創(chuàng)立。
同樣在 1999 年，新合并的實體在歐洲 Easdaq (納斯達克歐洲) 證券交易所進行了首次公開募股(IPO)，隨后一年后在倫敦證券交易所上市。
與 QED 的合并為該集團帶來了一系列基于分子束外延(MBE) 技術(shù)的新型制造工具和一系列無線電信產(chǎn)品。合并后，IQE 成為第一家使用 MOCVD 和 MBE 技術(shù)生產(chǎn)光電和射頻 (RF) 外延晶圓的獨立外包制造商。伯利恒工廠專門生產(chǎn)多種無線產(chǎn)品，包括假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT) 和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)。
2000 年，該公司成立了一家新的全資子公司，專門從事硅基外延生長。IQE Silicon 成立于毗鄰集團總部和位于英國威爾士卡迪夫的歐洲制造基地的新工廠。
新子公司使用化學(xué)氣相沉積(CVD) 工具生產(chǎn)硅和鍺外延晶片，以提高硅加工性能、微機電系統(tǒng)(MEMS) 和納米技術(shù)應(yīng)用。
同樣在 2000 年，該集團收購了位于英國米爾頓凱恩斯的 Wafer Technology 。此次收購為該集團提供了砷化鎵(GaAs) 和磷化銦(InP)襯底的內(nèi)部生產(chǎn)，并增加了用于紅外應(yīng)用的銻化鎵(GaSb) 和銻化銦(InSb)的生產(chǎn)能力。
2006 年，集團從 Emcore 手中收購了電子材料部門，為 IQE 提供了位于新澤西州薩默塞特的第二個美國業(yè)務(wù)。此次收購進一步增加了 MOCVD 產(chǎn)能和互補射頻 (RF) 產(chǎn)品，包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 和雙極場效應(yīng)晶體管(BiFET)。
同樣在 2006 年，該集團以新加坡MBET 技術(shù)的形式進一步收購，為該集團提供了完整的多站點、多技術(shù)和多產(chǎn)品能力，從而成為世界上最大的外延片獨立合同制造商。2009 年，該集團收購了巴斯大學(xué)的一家初創(chuàng)公司 NanoGaN，從而 增加了新的獨立式氮化鎵(GaN) 襯底能力。
2012年，IQE集團收購了位于美國華盛頓州斯波坎的Galaxy Compound Semiconductors和位于美國北卡羅來納州格林斯伯勒的RFMD的MBE外延制造部門。
該公司于 2018 年 11 月 12 日向證券交易所發(fā)布公告稱，其產(chǎn)品的出貨量將大幅減少，也對盈利能力產(chǎn)生重大影響，導(dǎo)致股價暴跌。
IQE于2019財年營收凈虧損3500萬英鎊，銷售額與2018年相比下降了10%。
2022年5月，IQE與初創(chuàng)公司Porotech達成了戰(zhàn)略合作，進軍micro-LED新興市場。Porotech于2020年從劍橋大學(xué)分拆出來，目前正在研究基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的新型可見光發(fā)射器。
2022年6月22日，IQE 與創(chuàng)新光學(xué)和光子產(chǎn)品設(shè)計與制造商Lumentum共同宣布，雙方簽署了一項多年協(xié)議，IQE將為Lumentum提供支持3D傳感、汽車激光雷達和光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的外延片（Epiwafer）。（文：國際電子商情）
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