瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備順利驗(yàn)收
據(jù)瑤光半導(dǎo)體官微消息，近日，瑤光半導(dǎo)體激光退火設(shè)備順利通過(guò)驗(yàn)收。
該設(shè)備已在客戶新產(chǎn)線投入生產(chǎn)使用，該產(chǎn)線計(jì)劃年產(chǎn)一億顆功率芯片和1萬(wàn)片6英寸SiC外延片，同時(shí)包括“10萬(wàn)片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成電路”。
據(jù)官微介紹，瑤光半導(dǎo)體自主研發(fā)的SiC/Si基激光退火設(shè)備，廣泛應(yīng)用于硅基IGBT離子摻雜激活和碳化硅背面電極鍍膜退火等多個(gè)工藝。其微秒級(jí)的控制系統(tǒng)、晶圓厚度測(cè)量功能以及出色的光學(xué)整形裝置，為晶圓的退火工藝提供了高效的解決方案。
此前報(bào)道，瑤光是浙江工業(yè)大學(xué)莫干山研究院今年引進(jìn)的重點(diǎn)項(xiàng)目，主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司已完成瑤光閉環(huán)溫度控制系統(tǒng)，并擁有瑤光功率芯片背面激光退火方法，自主創(chuàng)新瑤光SiC外延生長(zhǎng)方案，惰性氣體屏障技術(shù)等多項(xiàng)專有技術(shù)。
除了SiC激光退火設(shè)備，瑤光半導(dǎo)體旗下設(shè)備“星型SiC MOCVD”（ES600)預(yù)計(jì)今年四季度完成研發(fā)。
SiC晶圓激光退火技術(shù)（LSA）相對(duì)于傳統(tǒng)高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)（RTA），具有升溫極快、控制靈敏、熱傳導(dǎo)深度淺、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點(diǎn)，逐漸成為了新一代主流退火技術(shù)。作為該技術(shù)載體的激光退火設(shè)備，也因SiC等功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和需求增長(zhǎng)，市場(chǎng)正不斷擴(kuò)大。
在激光退火設(shè)備領(lǐng)域，市場(chǎng)主要由相干（Coherent）、Veeco、應(yīng)用材料（Applied Materials）、日立、日本制鋼所等國(guó)外大廠占據(jù)。我國(guó)該市場(chǎng)起步晚，很多國(guó)內(nèi)企業(yè)的激光退火設(shè)備都依賴進(jìn)口。近年來(lái)，政府與國(guó)內(nèi)企業(yè)不斷加大激光退火設(shè)備研發(fā)力度，加速激光退火設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。目前，國(guó)內(nèi)我國(guó)制造激光退火設(shè)備的企業(yè)有大族激光、北京華卓精科、成都萊普特、上海微電子等。
隨著瑤光半導(dǎo)體等布局企業(yè)增加，國(guó)內(nèi)激光退火設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈，同時(shí)，更多企業(yè)共同推動(dòng)能有效促進(jìn)行業(yè)技術(shù)升級(jí)，加快縮短國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際大廠之間的差距，為爭(zhēng)取更多市場(chǎng)份額、實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代做準(zhǔn)備。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
優(yōu)睿譜成功推出晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200
優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備(無(wú)錫)有限公司（下文簡(jiǎn)稱“優(yōu)睿譜”）近日成功推出晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200，即將交付客戶驗(yàn)證。
據(jù)介紹，SICV200是一款用于測(cè)量硅片電阻率、SiC或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備，可支持對(duì)包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓，進(jìn)行可持多頻率下CV特性分析。機(jī)臺(tái)配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動(dòng)方案以及符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)方案，可直接對(duì)接客戶工廠MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。
優(yōu)睿譜總經(jīng)理唐德明博士介紹，在襯底上進(jìn)行同質(zhì)外延時(shí)，載流子濃度是一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù)。目前，行業(yè)普遍使用電容電壓（CV）法來(lái)測(cè)量同質(zhì)外延層的載流子濃度。該方法可直接在半導(dǎo)體上形成肖特基勢(shì)壘測(cè)得外延層的載流子濃度，也可以形成MOS電容結(jié)構(gòu)對(duì)CVD工藝等進(jìn)行監(jiān)控，從而有效評(píng)估各類半導(dǎo)體材料制造工藝中外延層的載流子濃度以及外延層的質(zhì)量，方便且無(wú)損地對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行測(cè)量分析，為優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝提供依據(jù)和支持。
優(yōu)睿譜成立于2021年，專注于半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售與服務(wù)。
據(jù)悉，半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備之一，技術(shù)門檻高，對(duì)提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進(jìn)工藝迭代起著重要作用。目前，雖然中國(guó)大陸已經(jīng)成為全球最大的前道量檢測(cè)市場(chǎng)，但國(guó)內(nèi)廠商市場(chǎng)份額占比仍然較小。
隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)前道量測(cè)設(shè)備的需求量持續(xù)走高，與此同時(shí)，由于地緣政治和國(guó)外企業(yè)產(chǎn)能等因素影響，使得國(guó)產(chǎn)替代需求迫切。
面對(duì)技術(shù)落后的處境，國(guó)內(nèi)企業(yè)在加速追趕——上海精測(cè)、中科飛測(cè)等在前道量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域取得了一定的進(jìn)展。值得一提的是，前不久，中導(dǎo)光電的納米級(jí)圖形晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)設(shè)備（NanoPro-150）實(shí)現(xiàn)了再次交付。
隨著技術(shù)更迭和行業(yè)認(rèn)可度的提升，在本土巨大的前道量檢測(cè)市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商大有可為。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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