近日，伴隨著北京昌龍智芯半導體有限公司（以下簡稱昌龍智芯半導體）舉行首次董事會暨揭牌儀式以及中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱中微公司）全資子公司中微半導體設備(廣州)有限公司（以下簡稱中微廣州）舉行開業(yè)慶典，SiC產業(yè)鏈再次迎來了兩個新玩家。
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昌龍智芯半導體揭牌啟動
近日，昌龍智芯半導體舉行了首次董事會暨揭牌儀式。公司一期將投資6000萬元，用于設計團隊搭建和前期研發(fā)、運營、營銷。二期預備投資5億元到10億元，用于器件制造生產線建設和產品開發(fā)制造。
據悉，昌龍智芯半導體是銘鎵半導體的下游企業(yè)，主營業(yè)務為高端功率半導體芯片與器件，包括新材料氧化鎵功率芯片研發(fā)，高壓硅基、SiC基功率芯片MOSFET和IGBT設計、研發(fā)與銷售。
值得一提的是，2022年底，銘鎵半導體使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術的產業(yè)化公司。
2024年以來，銘鎵半導體先后引進氧化鎵產業(yè)上下游兩家企業(yè)總部落地順義，上游引進了圓坤（北京）半導體裝備有限公司，下游引進了氧化鎵高端功率器件設計與制造公司，并聯(lián)合順義現(xiàn)有模組電路企業(yè)創(chuàng)元成業(yè)進行產品驗證，組成國內第一條氧化鎵專業(yè)生長設備——晶體外延材料——功率器件——電路驗證一體化聯(lián)合體。此次引入的昌龍智芯半導體是功率芯片器件設計企業(yè)，后期將制備打樣流片。
中微廣州正式開業(yè)
3月25日，中微公司全資子公司中微廣州于廣州市增城經濟技術開發(fā)區(qū)舉行開業(yè)慶典，正式投入運營。中微廣州將服務華南地區(qū)的重要客戶，成為中微公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分。
隨著全資子公司中微廣州正式啟動運營，中微公司的市場拓展能力有望進一步提升，進而在一定程度上推動業(yè)績增長。
2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績快報公告。數(shù)據顯示，公司2023年實現(xiàn)營收約62.64億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元，同比增加29.58%。
關于業(yè)績增長原因，中微公司表示，營收較上年同期增長32.15%，主要系受益于半導體設備市場發(fā)展及公司產品競爭優(yōu)勢；而營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%，主要原因為2023年收入增長和毛利維持較高水平。
作為一家設備廠商，中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶先進工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產。
值得注意的是，中微公司開發(fā)的包括SiC、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設備已經取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。（集邦化合物半導體Zac整理）
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