SiC公司昌龍智芯和中微廣州正式啟動(dòng)運(yùn)營

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 26 日 18:00 | 分類 企業(yè)

近日,伴隨著北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱昌龍智芯半導(dǎo)體)舉行首次董事會(huì)暨揭牌儀式以及中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱中微公司)全資子公司中微半導(dǎo)體設(shè)備(廣州)有限公司(以下簡稱中微廣州)舉行開業(yè)慶典,SiC產(chǎn)業(yè)鏈再次迎來了兩個(gè)新玩家。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

昌龍智芯半導(dǎo)體揭牌啟動(dòng)

近日,昌龍智芯半導(dǎo)體舉行了首次董事會(huì)暨揭牌儀式。公司一期將投資6000萬元,用于設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)搭建和前期研發(fā)、運(yùn)營、營銷。二期預(yù)備投資5億元到10億元,用于器件制造生產(chǎn)線建設(shè)和產(chǎn)品開發(fā)制造。

據(jù)悉,昌龍智芯半導(dǎo)體是銘鎵半導(dǎo)體的下游企業(yè),主營業(yè)務(wù)為高端功率半導(dǎo)體芯片與器件,包括新材料氧化鎵功率芯片研發(fā),高壓硅基、SiC基功率芯片MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)、研發(fā)與銷售。

值得一提的是,2022年底,銘鎵半導(dǎo)體使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸(001)主面氧化鎵單晶,完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn),成為國內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸(001)相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

2024年以來,銘鎵半導(dǎo)體先后引進(jìn)氧化鎵產(chǎn)業(yè)上下游兩家企業(yè)總部落地順義,上游引進(jìn)了圓坤(北京)半導(dǎo)體裝備有限公司,下游引進(jìn)了氧化鎵高端功率器件設(shè)計(jì)與制造公司,并聯(lián)合順義現(xiàn)有模組電路企業(yè)創(chuàng)元成業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證,組成國內(nèi)第一條氧化鎵專業(yè)生長設(shè)備——晶體外延材料——功率器件——電路驗(yàn)證一體化聯(lián)合體。此次引入的昌龍智芯半導(dǎo)體是功率芯片器件設(shè)計(jì)企業(yè),后期將制備打樣流片。

中微廣州正式開業(yè)

3月25日,中微公司全資子公司中微廣州于廣州市增城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行開業(yè)慶典,正式投入運(yùn)營。中微廣州將服務(wù)華南地區(qū)的重要客戶,成為中微公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分。

隨著全資子公司中微廣州正式啟動(dòng)運(yùn)營,中微公司的市場拓展能力有望進(jìn)一步提升,進(jìn)而在一定程度上推動(dòng)業(yè)績增長。

2月28日,中微公司公布2023年度業(yè)績快報(bào)公告。數(shù)據(jù)顯示,公司2023年實(shí)現(xiàn)營收約62.64億元,同比增長約32.15%。其中,2023年刻蝕設(shè)備銷售約47.03億元,同比增長約49.43%;MOCVD設(shè)備銷售約4.62億元,同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元,同比增長約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元,同比增長約60.1%。2023年歸母凈利潤約17.86億元,同比增加52.67%;2023年歸母扣非凈利潤約11.91億元,同比增加29.58%。

關(guān)于業(yè)績增長原因,中微公司表示,營收較上年同期增長32.15%,主要系受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢;而營業(yè)利潤、利潤總額和歸母凈利潤較上年同期分別增長56.81%、59.74%和52.67%,主要原因?yàn)?023年收入增長和毛利維持較高水平。

作為一家設(shè)備廠商,中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備,可加工微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用,中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。

值得注意的是,中微公司開發(fā)的包括SiC、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備已經(jīng)取得了良好進(jìn)展,2024年將會(huì)陸續(xù)進(jìn)入市場。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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