2024年以來，SiC產業(yè)鏈投融資持續(xù)火熱，近期又有一家廠商受到資本市場青睞，開啟了融資大門。
近日，中锃半導體（深圳）有限公司（以下簡稱中锃半導體）完成數千萬元人民幣天使輪融資。本輪融資由國科京東方、國核曜能、望眾投資等共同出資，將主要用于研發(fā)平臺搭建、原型設備和核心工藝開發(fā)等方面。
圖片來源：拍信網正版圖庫
中锃半導體劍指SiC技術突破
作為一家成立于2023年10月的初創(chuàng)企業(yè)，中锃半導體已在設備研發(fā)制造、工藝等方面積累了一定的經驗和技術。目前，中锃半導體正全力開發(fā)針對SiC材料的深刻蝕設備和工藝（Deep SiC Etch），用以支持溝槽柵（Trench-Gate）的實現(xiàn)和更廣闊器件設計窗口。
據悉，通過溝槽柵技術，SiC產品可以縮小芯片的表面積，讓單個晶圓能產出更多的芯片。因此，這項技術有助于SiC產業(yè)降本增效。除了降低成本外，溝槽柵還可以避免寄生Jfet效應帶來的額外內阻。比如，英飛凌就曾通過溝槽，來選擇更好晶面進而改善柵氧界面和提高器件性能等。
目前，如何應對SiC超高硬度等材料特性，實現(xiàn)SiC深刻蝕以高效地實現(xiàn)溝槽柵技術等工藝的具體形貌要求，已成為產業(yè)界關注的焦點問題。
在本土設備廠商中锃半導體針對SiC材料的深刻蝕設備和工藝支持下，國內SiC廠商有望加速實現(xiàn)SiC深刻蝕技術突破，進而推動溝槽型SiC器件研發(fā)和量產，最終共同實現(xiàn)在SiC技術方面的“彎道超車”。
據了解，中锃半導體未來還將聯(lián)合產業(yè)伙伴研發(fā)先進的等離子體干法刻蝕設備和“SiC－Trench－Etch”的工藝解決方案，幫助客戶實現(xiàn)工藝的落地、量產和良率提升，并致力于將“等離子體干法刻蝕技術（Plasma Dry Etch）”推廣到更多應用領域。未來，隨著這些技術和設備落地應用，也有望推動包括SiC在內的先進半導體產業(yè)加速發(fā)展。
溝槽型SiC器件轉型趨勢
中锃半導體的SiC材料深刻蝕設備和工藝，對于實現(xiàn)溝槽型SiC器件意義重大。近年來，國內外廠商紛紛將目光瞄準了溝槽柵SiC MOSFET，深刻蝕設備和工藝有望得到廣泛應用。
國內廠商方面，去年12月底，積塔半導體與安建半導體達成多項合作，其中就包括加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)。
時代電氣則在今年2月初表示，其SiC芯片生產線技術能力提升建設項目進展順利，項目建成達產后，能夠將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力。
積塔半導體與安建半導體攜手開發(fā)項目由平面型SiC MOSFET器件轉向溝槽型SiC MOSFET器件，以及時代電氣向溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)升級，都與溝槽型SiC MOSFET器件優(yōu)勢有關。量產溝槽型SiC MOSFET器件的廠商普遍認為，相比平面型結構，溝槽型SiC MOSFET在成本和性能方面都具有較強優(yōu)勢。
國際廠商當中，羅姆是率先轉向溝槽型SiC MOSFET的公司。早在2015年，羅姆就在世界范圍內率先開發(fā)出采用溝槽結構的SiC MOSFET。與已經量產的平面型SiC MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這有利于降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等相關設備的功率損耗。
在1992年就開始研發(fā)SiC功率器件的英飛凌并沒有選擇進入平面結構市場，而是直接選擇了溝槽結構，并在2017年發(fā)布溝槽型SiC MOSFET。此外，電裝的溝槽型SiC MOSFET也已正式商用。
未來，大概率將有更多國內外廠商轉型溝槽型SiC器件，對于中锃半導體等持續(xù)致力于相關特色工藝、設備研發(fā)的廠商而言，也有可能獲得更多的合作機會。
小結
作為一家成立僅半年的SiC產業(yè)鏈創(chuàng)企，中锃半導體能夠在短時間內獲得投資機構認可并拿下首輪融資，與行業(yè)熱度居高不下有直接關系，也與其技術亮點密不可分。
SiC產業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，在工藝和設備領域，除中锃半導體外，謙視智能、思銳智能等廠商也在近期完成新一輪融資；在材料、器件等各個方面，相關廠商能夠取得重大突破，或是有獨到之處，都有可能成為資本市場“寵兒”。（文：集邦化合物半導體Zac）
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