SiC加速“上車(chē)”進(jìn)程近日再次傳出利好消息。3月29日，“蔚來(lái)&芯聯(lián)集成合作伙伴大會(huì)暨蔚來(lái)自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行。蔚來(lái)高級(jí)副總裁曾澍湘、芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇共同出席并啟動(dòng)了SiC模塊C樣下線揭幕儀式。
source：芯聯(lián)集成
據(jù)悉，今年1月30日，芯聯(lián)集成官宣與蔚來(lái)簽署了SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議，芯聯(lián)集成將成為蔚來(lái)首款自研1200V SiC模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商，該SiC模塊將用于蔚來(lái)900V高壓純電平臺(tái)。蔚來(lái)自研SiC模塊C樣件的下線代表著雙方合作取得階段成果，也標(biāo)志著蔚來(lái)自研SiC模塊成熟度進(jìn)一步提升，更近一步接近量產(chǎn)。
作為蔚來(lái)SiC模塊產(chǎn)品供貨方，芯聯(lián)集成在SiC技術(shù)和產(chǎn)能方面都有一定的實(shí)力。2023年12月，芯聯(lián)集成公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表。資料顯示，該項(xiàng)目總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOSFET芯片制造。
具體來(lái)看，該項(xiàng)目將建設(shè)一條月產(chǎn)5000片的6/8英寸兼容SiC MOSFET芯片制造生產(chǎn)線，先完成6英寸SiC MOSFET規(guī)?；圃旒凹夹g(shù)的持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)品積累，待國(guó)內(nèi)8英寸SiC襯底片和外延片具備批量供應(yīng)能力后，快速切換到8英寸，建成后將形成6/8英寸SiC晶圓6萬(wàn)片/年的生產(chǎn)規(guī)模。
今年1月30日，芯聯(lián)集成在2023年業(yè)績(jī)預(yù)告中表示，公司最新一代SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達(dá)世界先進(jìn)水平，正在建設(shè)的國(guó)內(nèi)第一條8英寸SiC器件研發(fā)產(chǎn)線將于2024年通線，同時(shí)將與多家新能源汽車(chē)主機(jī)廠簽訂合作協(xié)議，2024年SiC業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)計(jì)將超過(guò)10億元。
在與芯聯(lián)集成簽署供貨協(xié)議的同時(shí)，蔚來(lái)正在旗下新能源車(chē)型中持續(xù)引入SiC功率模塊。2023年12月23日，蔚來(lái)汽車(chē)在NIO Day上發(fā)布行政旗艦車(chē)型ET9，成為蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC功率模塊的車(chē)型。
據(jù)介紹，ET9采用蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C。官方數(shù)據(jù)是充電5分鐘，續(xù)航255公里。
在造車(chē)新勢(shì)力三巨頭中，除蔚來(lái)外，理想和小鵬均正在大力引入SiC功率模塊。其中，理想于2022年發(fā)布LEEA2.0平臺(tái)。目前，基于該平臺(tái)理想推出了L9，該車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)采用了理想與三安光電合資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體的SiC功率模塊。隨著斯科半導(dǎo)體SiC功率模塊生產(chǎn)基地于2024年投產(chǎn)，理想基于LEEA2.0平臺(tái)打造的SiC車(chē)型矩陣有望進(jìn)一步擴(kuò)充。
小鵬則于2022年發(fā)布了首款SiC車(chē)型G9。2023年4月，小鵬汽車(chē)又發(fā)布全新一代技術(shù)平臺(tái)——SEPA 2.0扶搖全域智能進(jìn)化架構(gòu)，為800V高壓SiC平臺(tái)。基于該平臺(tái)打造的SiC車(chē)型將標(biāo)配3C電芯，也可兼容4C電芯。其中，4C版本車(chē)樁結(jié)合可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘補(bǔ)能200km，G6是該平臺(tái)下的代表車(chē)型。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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