聚焦GaN器件,能華半導(dǎo)體與芯賽威達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)

4月23日,據(jù)芯賽威官微消息,廣東芯賽威科技有限公司(以下簡稱芯賽威)近日與能華科技發(fā)展有限公司(以下簡稱能華半導(dǎo)體)成功簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

source:芯賽威Sifirst

據(jù)介紹,芯賽威與能華半導(dǎo)體的合作主要以電源驅(qū)動芯片和氮化鎵(GaN)器件技術(shù)為基礎(chǔ),為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價比的新一代電源管理方案。芯賽威驅(qū)動與能華半導(dǎo)體GaN技術(shù)結(jié)合的方案相對市面較普遍的GaN方案而言具有更低的成本、更好的可靠性、更高的生產(chǎn)直通率,降低了對電源生產(chǎn)環(huán)境的要求,有利于推廣和應(yīng)用。

據(jù)悉,芯賽威成立于2009年6月,是一家以電源管理芯片為主的模擬和數(shù)模混合半導(dǎo)體供應(yīng)商,其電源芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通訊、照明、光學(xué)防抖、家用電器、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域,并布局光儲和汽車領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體則于2010年成立,是一家GaN功率器件廠商。能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),藍(lán)寶石基GaN(GaN-on-Sapphire),碳化硅基GaN(GaN-on-SiC)晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售,能華半導(dǎo)體的6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋40V-1200V。據(jù)稱,能華半導(dǎo)體是全球?yàn)閿?shù)不多同時掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司。

目前,能華半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)了GaN器件全功率范圍的量產(chǎn),主要應(yīng)用市場包括消費(fèi)電子、電動工具、數(shù)據(jù)中心、照明電源、便攜儲能、微型逆變器、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

值得一提的是,在2024年3月22日于上海舉辦的SEMICON功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇和同期舉行的深圳2024世界氮化鎵大會上,能華半導(dǎo)體發(fā)布了最新研發(fā)的1200V功率GaN產(chǎn)品。

能華半導(dǎo)體表示,GaN功率器件曾經(jīng)被廣泛認(rèn)為適用于中高壓(650V-900V)領(lǐng)域,在1200V及以上的應(yīng)用中仍存在一定難度,主要的挑戰(zhàn)在于高電壓下的耐壓和可靠性。能華半導(dǎo)體通過優(yōu)化外延材料和工藝制程,采用藍(lán)寶石襯底及特殊的緩沖層結(jié)構(gòu),并結(jié)合關(guān)鍵的工藝制程,成功研發(fā)出了能夠應(yīng)對1200V電壓的耗盡型GaN功率器件。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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