據(jù)揚州市刊江區(qū)人民政府網(wǎng)消息，3月10日，揚杰科技中央研究院正式獲批成為省級重點實驗室，標志著其在半導體功率電子領域的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力得到了官方的高度認可。
據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導體功率電子領域的關鍵技術問題，通過產(chǎn)學研深度融合，推動我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的高質量發(fā)展。
公開消息顯示，揚杰科技中央研究院按照國內一流電子實驗室標準建設，總建筑面積達5000平方米，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS（中國合格評定國家認可委員會）認證，具備芯片設計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機械應力模擬仿真等多項功能。
中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團隊，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領域。此外，該公司還與東南大學共建“寬禁帶功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實驗室的成立將進一步推動公司在高端功率半導體器件領域的技術創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關鍵產(chǎn)品上實現(xiàn)技術突破。
揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后，將重點解決大功率半導體器件的前沿技術和共性關鍵技術，助力我國在IGBT等新型功率半導體器件領域實現(xiàn)技術自主可控。此外，實驗室還將為揚杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術瓶頸突破以及市場版圖擴展提供強有力的保障。（集邦化合物半導體整理）
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