近日，由中國國際經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作促進(jìn)會標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會（以下簡稱“國促會標(biāo)委會”）聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法（CVD）》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動會順利召開。
包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍(lán)河科技（紹興）有限公司、深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)帆半導(dǎo)體（江蘇）有限公司在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)代表參加了本次啟動會。
近年來，我國發(fā)布《關(guān)于化纖工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的指導(dǎo)意見》《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》等相關(guān)政策，推動碳化硅等化合物半導(dǎo)體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，鼓勵業(yè)內(nèi)企業(yè)提升相關(guān)技術(shù)水平。國促會標(biāo)委會攜手業(yè)內(nèi)專家學(xué)者、先進(jìn)企業(yè)制定該標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范碳化硅外延片的制備過程，確保通過化學(xué)氣相沉積法生長的外延層質(zhì)量更高，能夠滿足特定性能要求，從而提升碳化硅器件的整體性能和可靠性。
化學(xué)氣相沉積法（CVD）是目前碳化硅外延片制備的主流方法之一，由于其具有能夠精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點(diǎn)，可以更好地滿足碳化硅外延片高質(zhì)量、高效率的制備需求。因此，制定針對化學(xué)氣相沉積法相關(guān)技術(shù)規(guī)范，對于推動碳化硅外延片行業(yè)發(fā)展具有重要意義。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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