3月26日,在三菱電機(jī)舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會(huì)議上,三菱電機(jī)宣布將對(duì)有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵(Ga2O3)進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車(xEV)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體相比,三菱電機(jī)稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場(chǎng)”。
三菱電機(jī)表示,2024年~2030年,...  [詳內(nèi)文]
超越碳化硅?三菱電機(jī)投資氧化鎵功率半導(dǎo)體 |
作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 01 日 17:50 | | 分類: 企業(yè) |