文章分類： 企業(yè)

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

180萬片，斯達(dá)半導(dǎo)重慶車規(guī)級功率模塊項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:01 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)西部重慶科學(xué)城最新消息，3月17日，斯達(dá)半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地正式封頂，標(biāo)志著國內(nèi)首條年產(chǎn)能達(dá)180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)線進入投產(chǎn)倒計時。 公開資料顯示，這一項目由長安汽車旗下深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體聯(lián)合打造。斯達(dá)半導(dǎo)體與深藍(lán)汽車的合作始于2023年，...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標(biāo)的，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:02 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域，江蘇首只高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金完成注冊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域，為高校科研成果轉(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示，3月13日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期（以下簡稱“大基金二期”）投資入股了昂坤視覺（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方，金浦投資、招商致遠(yuǎn)、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關(guān)注。近期，市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體等企業(yè)參加，碳化硅（CVD）領(lǐng)域團體標(biāo)準(zhǔn)啟動會召開

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:53 |
| 分類: 企業(yè)
近日，由中國國際經(jīng)濟技術(shù)合作促進會標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會（以下簡稱“國促會標(biāo)委會”）聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法（CVD）》團體標(biāo)準(zhǔn)啟動會順利召開。 包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍(lán)河科技（紹興）有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露：重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)500片/周

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:51 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日，三安光電在投資者互動平臺披露，其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，當(dāng)前周產(chǎn)能達(dá)500片。這一進展標(biāo)志著國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)?；a(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步，為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場提供關(guān)鍵材料支撐。 source：三安光電 公開資料顯示，重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]