近期，時(shí)代電氣、三安光電兩家公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)答復(fù)投資者關(guān)心的問(wèn)題，涉及碳化硅產(chǎn)能、技術(shù)等新進(jìn)展。
時(shí)代電氣表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。
當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，第五代SiC技術(shù)也已完成布局。目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiCMOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiCMOSFET，1200VSBD等，1200V溝槽柵SiCMOSFET性能指標(biāo)基本對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭企業(yè)。
公司SiCMOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級(jí)，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運(yùn)輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
株洲三期于2024年11月份啟動(dòng)建設(shè)，2025年5月主體廠房封頂，預(yù)計(jì)2025年下半年啟動(dòng)設(shè)備搬入，2025年底有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項(xiàng)目為8英寸SiC晶圓。
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圖片來(lái)源：時(shí)代電氣
三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)披露多項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展。
12英寸碳化硅襯底正在開(kāi)發(fā)中；湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)向通合、科士達(dá)、致瞻等充電樁客戶批量供貨，以及臺(tái)達(dá)、光寶、長(zhǎng)城、維諦技術(shù)等數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源客戶供貨。
湖南三安的主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車企客戶處的摸底模塊驗(yàn)證已完成。此外，湖南三安已布局氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料的研發(fā)。
產(chǎn)能方面，三安光電介紹，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8吋碳化硅襯底產(chǎn)能1,000片/月、外延產(chǎn)能2,000片/月，8吋碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月；重慶三安首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，已開(kāi)始逐步釋放產(chǎn)能。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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