文章分類: 企業(yè)

臺亞預(yù)計明年三季度量產(chǎn)碳化硅晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 16 日 15:55 |
| 分類: 企業(yè)
臺亞半導(dǎo)體旗下子公司“積亞半導(dǎo)體”昨(15 日)舉辦無塵室啟用暨機臺搬入典禮,積亞半導(dǎo)體總經(jīng)理王培仁表示,未來將持續(xù)進行機臺搬入及生產(chǎn)調(diào)試等相關(guān)工程,明年初開始芯片試產(chǎn)、第二季(6 月)底完成產(chǎn)品高度驗證、客戶端性能測試,明年第三季開始量產(chǎn)。 王培仁指出,明年第三季是進入JBS相...  [詳內(nèi)文]

這個化合物半導(dǎo)體生長設(shè)備廠獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 17:35 | | 分類: 企業(yè)
今日,匯譽私募基金管理(湖州)有限公司(“匯譽投資”)在管基金完成對于楚赟科技(紹興)有限公司(“楚赟科技”)的投資。 匯譽投資總經(jīng)理胡寅斌表示,對楚赟科技的投資進一步完善了匯譽投資在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的生態(tài)布局,特別是在SiC、GaN等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從設(shè)備、襯底到外延等環(huán)節(jié)的延伸...  [詳內(nèi)文]

積亞半導(dǎo)體:2024年第三季度量產(chǎn)SiC

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
臺亞旗下的積亞半導(dǎo)體于今日舉辦無塵室啟用儀式,首個機臺搬入。積亞未來將專門生產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓及功率半導(dǎo)體,預(yù)計將于2024年第三季度量產(chǎn)。 積亞半導(dǎo)體總經(jīng)理王培仁表示,積亞專職制造碳化硅,未來將以自制磊晶晶圓、定制化生產(chǎn)SiC積體電路晶圓,滿足客戶各類需求。此外將投入數(shù)十億...  [詳內(nèi)文]

供貨泉州三安,化合物半導(dǎo)體企業(yè)株洲科能加速IPO進程

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 16:32 |
| 分類: 企業(yè)
6月21日,上交所受理了株洲科能新材料股份有限公司(簡稱:株洲科能)科創(chuàng)板上市申請。 招股書顯示,株洲科能此次IPO擬募資5.88億元,投建于年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料項目及回收項目、稀散金屬先進材料研發(fā)中心建設(shè)項目,以及補充流動資金。 株洲科能長期致力于Ⅲ-Ⅴ族化學(xué)元素材料提純...  [詳內(nèi)文]

又3家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲融資!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 16:31 |
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近日,芯百特、愛矽科技、時代速信三家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲超億元融資。 芯百特 芯百特微電子(無錫)有限公司(以下簡稱“芯百特”)宣布于近日完成新一輪近億元融資,投資方包括揚州啟正、無錫惠開、惠之成等,融資資金將用于研發(fā)投入和設(shè)備采購等。芯百特聚焦高性能射頻芯片,目前已具備CMO...  [詳內(nèi)文]

三安光電公布三個消息

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 14:32 |
| 分類: 企業(yè)
昨日(8/14),三安光電召開了第十一屆董事會第三次會議,會上審議通過了兩項與全資子公司相關(guān)的議案。一是為多個全資子公司申請綜合授信提供擔(dān)保;二是對全資子公司湖南三安增資。 為7家全資子公司提供擔(dān)保 公告顯示,根據(jù)三安光電整體發(fā)展規(guī)劃,為保證全資子公司的資金需求,經(jīng)董事會研究,同...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵產(chǎn)業(yè)“漸入佳境”!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 15 日 9:34 |
| 分類: 企業(yè)
三菱電機公司今天宣布,它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司,氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體,以支持全球脫碳。 Novel Crystal Technology 目前是世...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】泰科天潤:我們需要怎樣的SiC MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 06 日 17:26 |
| 分類: 企業(yè)
功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中,MOSFET因其具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點,逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。 與傳統(tǒng)的硅(Si)功率半導(dǎo)體相比,SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高熱導(dǎo)率三個最顯著特征,適用于大功率且高效的各類應(yīng)用,...  [詳內(nèi)文]