近日，廣東省發(fā)展和改革委員會(huì)發(fā)布關(guān)于下達(dá)廣東省2023年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃的通知。
2023年廣東省共安排省重點(diǎn)項(xiàng)目1530個(gè)，總投資8.5萬億元，年度計(jì)劃投資1萬億元；安排開展前期工作的省重點(diǎn)建設(shè)前期預(yù)備項(xiàng)目1090個(gè)，估算總投資4.6萬億元。
其中，第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目有廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線、深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、深圳方正微電子第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地、廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)和粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目。
廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目
建設(shè)年產(chǎn)24萬片的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，總投資35億元，項(xiàng)目產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目
總投資32.7億元，建設(shè)研發(fā)大樓、宿舍樓、晶體廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、氫氣庫、氣體間、化學(xué)品庫等。
深圳方正微電子第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目
總投資115.4億元，主要建設(shè)生產(chǎn)線及配套建筑和設(shè)施。
廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1，2區(qū)
1區(qū)總投資44億元，主要建設(shè)精密半導(dǎo)體設(shè)備制造、氮化鎵襯底生產(chǎn)線等；2區(qū)投資56億元，主要建設(shè)MiniLED COB顯示模組生產(chǎn)線廠房、研究院、中 試中心、辦公樓和宿舍生活配套設(shè)施。
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目
總投資33.5億元，主要建設(shè)辦公樓、潔凈中試廠房、配套動(dòng)力及倉儲(chǔ)設(shè)施等。
粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
總投資30億元，總建筑面積24萬平方米，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）
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