7月16日，微導納米發(fā)布官方消息，公司的首臺半導體CVD薄膜沉積設備順利發(fā)貨。微導納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導體等領域芯片制造。
CVD設備需求提升
薄膜沉積分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）兩大類，前者使用物理的方法（如蒸發(fā)、濺射等）使鍍膜材料汽化，在基體表面沉積成膜，后者則利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質在氣相或氣固界面上發(fā)生反應生成固態(tài)沉積物。
當前SiC薄膜生長主要是以CVD為主，包括分子束外延、磁控濺射和脈沖激光淀積等,CVD的優(yōu)勢在于可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是目前已經成功商業(yè)化的SiC外延技術。
評價一款碳化硅CVD的核心指標，主要從外延生長性能（厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長速率），設備本身溫度性能（升溫/降溫速率、最高溫度、溫度均勻性），和設備性價比三個方面進行評判。
從整個半導體行業(yè)來看，當前國內 CVD 的國產化率還處于較低水平，從整個半導體市場來看，美國的應用材料（Applied Materials）、泛林（Lam Research）和日本的東京電子（TEL）是全球CVD的主要供應商。
而在碳化硅領域，僅考慮外延環(huán)節(jié)，CVD設備的主要供應商為德國的Aixtron、意大利的LPE、日本的東京電子（TEL）和Nuflare。
且根據相關信息，6英寸外延設備集中在意大利的LPE 和日本的 NuFlare，而 NuFlare主要是供給Wolfspeed 和 II-VI（更名為Coherent），且數量僅為十余臺每年，其在中國出售已經排至 2023下半年，每臺設計產能為 1800 片/月。日本東京電子（TEL）的設備主要采用雙腔體，對提高產量有一定的作用，但因價格和技術IP等問題，較少出現在國內市場中。
國產碳化硅外延設備最新進展
今年2月，晶盛機電發(fā)布了6英寸雙片式SiC外延設備，該設備通過對反應室石墨件的改造，采用上下層疊加的方式，單爐可以生長兩片外延片，且上下層工藝氣體可以單獨調控，溫差≤5℃，有效彌補了單片水平式外延爐產能不足的劣勢。
5月，粵升公司宣布其自主研發(fā)的4/6吋SiC外延設備，已無故障連續(xù)穩(wěn)定運行近300小時，生長的4/6吋SiC外延片質量均達到國際先進水平，滿足MOSFET和SBD器件的制備要求。
同月，“長城控股招標中心”發(fā)文稱，其已啟動“精工自動化碳化硅外延廠房改造設計項目”，目前正在進行招標工作。
此外，鹽城市鹽都區(qū)人民政府報道提到，漢印機電2022年投資了10億元，啟動漢印半導體裝備項目，新上40臺（套）第三代半導體碳外延設備，可年產20萬片碳化硅外延片。（文：集邦化合物半導體Jump）
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