7月18日，中國證監(jiān)會(huì)正式批準(zhǔn)了芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)集成”）58.97億元收購芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)越州”）72.33%的股權(quán)的交易。至此，芯聯(lián)集成即將完成對(duì)于芯聯(lián)越州的100%控股。
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圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖
01、近59億“虧收虧”并購獲批，科創(chuàng)板政策加持“硬科技”
芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州的方案早在2024年6月就已初步披露，計(jì)劃以發(fā)行股份（約53.07億元，占90%）及支付現(xiàn)金（約5.90億元，占10%）的方式完成剩余股權(quán)的收購。此交易的獲批，不僅是芯聯(lián)集成深化產(chǎn)業(yè)布局的關(guān)鍵一步，更是中國證監(jiān)會(huì)發(fā)布“科創(chuàng)板八條”后，首單獲得批復(fù)的重磅并購案。
“科創(chuàng)板八條”明確鼓勵(lì)科創(chuàng)板上市公司開展產(chǎn)業(yè)鏈上下游并購整合，尤其是收購優(yōu)質(zhì)未盈利的“硬科技”企業(yè)，旨在推動(dòng)主業(yè)做優(yōu)做強(qiáng)。芯聯(lián)越州財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，該公司自2021年成立以來，至2024年10月31日，累計(jì)虧損約26.68億元（2022年虧損7億元，2023年虧損11.16億元，2024年截至10月31日虧損8.68億元）。而母公司芯聯(lián)集成過去三年也合計(jì)虧損逾40億元。短期內(nèi)，此次并購無疑會(huì)增加合并報(bào)表層面的虧損壓力。然而，芯聯(lián)集成此舉并非追求短期財(cái)務(wù)回報(bào)，而是基于更長(zhǎng)遠(yuǎn)的戰(zhàn)略考量。公司表示，芯聯(lián)越州當(dāng)前的虧損主要源于高折舊和高研發(fā)投入，同時(shí)，2024年6英寸碳化硅晶圓價(jià)格從6000元/片暴跌至1500元/片，也對(duì)其營(yíng)收和利潤(rùn)構(gòu)成巨大沖擊。但隨著業(yè)務(wù)量增長(zhǎng)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及設(shè)備折舊期的逐步結(jié)束，芯聯(lián)越州有望實(shí)現(xiàn)盈利改善，成為芯聯(lián)集成未來的重要利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。
02、強(qiáng)化特色工藝代工優(yōu)勢(shì)，8英寸硅基與化合物半導(dǎo)體并進(jìn)
公開資料顯示，芯聯(lián)越州主要從事功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓代工業(yè)務(wù)，其成立于2021年，主營(yíng)產(chǎn)品為碳化硅（SiC MOSFET）。早在2021年12月31日，芯聯(lián)集成便與濱海芯興等15名股東共同投資設(shè)立芯聯(lián)越州，總投資額達(dá)60億元，認(rèn)購全部30億元注冊(cè)資本，認(rèn)購價(jià)格為2元/注冊(cè)資本。其中，芯聯(lián)集成投資16.60億元，持股27.67%，彼時(shí)已是芯聯(lián)越州的最大股東。
通過本次交易，芯聯(lián)集成將實(shí)現(xiàn)對(duì)母公司10萬片/月與芯聯(lián)越州7萬片/月的8英寸硅基產(chǎn)能（涵蓋IGBT和MOSFET）的一體化管理，重點(diǎn)支持SiCMOSFET、高壓模擬IC等更高技術(shù)產(chǎn)品和業(yè)務(wù)的發(fā)展。在SiC領(lǐng)域，芯聯(lián)越州已是國內(nèi)車規(guī)級(jí)SiC器件產(chǎn)業(yè)化的先行者。目前，其擁有每月8000片6英寸SiC MOSFET的生產(chǎn)能力，并已成功實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)SiC功率器件的量產(chǎn)，出貨量位居國內(nèi)首位。產(chǎn)品良率超過99%，技術(shù)參數(shù)達(dá)國際先進(jìn)水平，并完成了三代產(chǎn)品技術(shù)迭代及溝槽型產(chǎn)品技術(shù)儲(chǔ)備。更重要的是，芯聯(lián)越州擁有國內(nèi)首條8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線，其工程批已于2024年4月順利下線，并計(jì)劃在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
此外，芯聯(lián)越州還前瞻性布局了多元化的高端技術(shù)平臺(tái)。除了SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V至2000V全系列并掌握核心工藝（客戶涵蓋頭部車企及光伏、風(fēng)電龍頭），其在硅基IGBT和MOSFET領(lǐng)域也實(shí)現(xiàn)了全電壓范圍布局，車規(guī)級(jí)產(chǎn)品已批量量產(chǎn)。公司更戰(zhàn)略性地?cái)U(kuò)展至VCSEL（砷化鎵垂直腔面發(fā)射激光器）以及高壓模擬IC等業(yè)務(wù)。
03、探析碳化硅晶圓價(jià)格走勢(shì)，揭露供需博弈下的波動(dòng)與市場(chǎng)預(yù)期
2024年是SiC晶圓價(jià)格大幅回調(diào)的一年。隨著頭部企業(yè)產(chǎn)能的釋放和中國本土廠商的崛起，碳化硅市場(chǎng)從之前的供應(yīng)緊張轉(zhuǎn)向局部過剩，導(dǎo)致價(jià)格迅速下探，部分6英寸襯底價(jià)格甚至跌破500美元/片，接近中國本土廠商的生產(chǎn)成本線。這給許多SiC晶圓生產(chǎn)商帶來了巨大的盈利壓力，也是芯聯(lián)越州面臨虧損的重要因素。
進(jìn)入2025年，雖然價(jià)格暴跌的勢(shì)頭有所緩解，但市場(chǎng)整體價(jià)格仍在低位運(yùn)行。供應(yīng)鏈庫存的消化和新產(chǎn)能的持續(xù)釋放仍在進(jìn)行中，使得短期內(nèi)SiC晶圓價(jià)格難以出現(xiàn)大幅反彈。因此，2025年SiC晶圓的市場(chǎng)規(guī)模仍在增長(zhǎng)，但價(jià)格下降帶來的營(yíng)收增長(zhǎng)可能會(huì)被部分抵消。盡管短期價(jià)格波動(dòng)，但SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的長(zhǎng)期增長(zhǎng)潛力并未改變。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場(chǎng)分析》報(bào)告指出，憑借晶圓技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，SiC功率器件將逐步在高壓應(yīng)用場(chǎng)景（≥900V）確立領(lǐng)導(dǎo)地位，2030年整體市場(chǎng)規(guī)模有望成長(zhǎng)至164億美元。同時(shí)，在核心電動(dòng)汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩和SiC成本快速下降的背景下，SiC功率器件正在加速向工業(yè)市場(chǎng)滲透。
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圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體
而對(duì)于上游SiC襯底市場(chǎng)，由于現(xiàn)行主流的6英寸SiC襯底價(jià)格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技術(shù)難度較高，加上市場(chǎng)環(huán)境劇烈變化，預(yù)計(jì)6英寸襯底將持續(xù)占據(jù)SiC襯底市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。但8英寸襯底是進(jìn)一步降低SiC成本的必然選擇，且有助SiC芯片技術(shù)升級(jí)，預(yù)估出貨份額至2030年有望突破20%。
對(duì)價(jià)格波動(dòng)，越來越多的SiC廠商選擇進(jìn)行垂直整合，從襯底、外延到器件甚至模組的全面布局，以更好地控制成本、保證供應(yīng)鏈穩(wěn)定性和應(yīng)對(duì)市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。芯聯(lián)集成此次收購芯聯(lián)越州，正是這種趨勢(shì)的體現(xiàn)。
芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇此前表示，并購已成為半導(dǎo)體行業(yè)的主旋律，公司將融合傳統(tǒng)工藝代工和IDM（整合器件制造商）模式的優(yōu)勢(shì)，選擇系統(tǒng)代工模式。這種模式強(qiáng)調(diào)與終端客戶深度合作，從傳統(tǒng)的“供應(yīng)商”轉(zhuǎn)變?yōu)椤肮矂?chuàng)者”，緊貼市場(chǎng)脈搏，為不同應(yīng)用場(chǎng)景打造定制化解決方案。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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