華為海思進軍碳化硅領(lǐng)域,兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近期,華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域,推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4,專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。

圖片來源:海思官網(wǎng)截圖

海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-4封裝,具備優(yōu)良的導(dǎo)通和快速開關(guān)特性,能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。具體而言,ASO1K2H035M1T4在25°C時導(dǎo)通電阻為35mΩ,175°C時為57mΩ;而ASO1K2H020M1T4在25°C時導(dǎo)通電阻為20mΩ,175°C時為30mΩ。此外,兩款器件的最高結(jié)溫均為175°C,且在高溫下仍能保持較低的導(dǎo)通電阻,確保了在高溫環(huán)境下的工作可靠性。

海思此次推出1200V SiC器件并非孤立事件,它根植于華為長期以來在碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略性投入和全產(chǎn)業(yè)鏈布局。自2019年4月23日成立哈勃科技投資有限公司以來,華為便致力于通過戰(zhàn)略投資,加速其在半導(dǎo)體及相關(guān)前沿技術(shù)領(lǐng)域的生態(tài)建設(shè)。

從2019年8月起,哈勃科技投資便持續(xù)發(fā)力,全面布局碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)。

在碳化硅襯底方面,華為投資了國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)山東天岳先進材料科技有限公司(持股10%)和北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司。據(jù)TrendForce集邦咨詢于今年5月最新發(fā)布的報告,在2024年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場份額中,天科合達(TankeBlue)以17.3%的市場份額位居第二,而天岳先進(SICC)則以17.1%的市場份額位列第三,這充分體現(xiàn)了兩家中國企業(yè)在全球市場中的顯著地位。

就天岳先進財報來看,山東天岳在2025年第一季度實現(xiàn)營收4.1億元人民幣,盡管同比略有下降,但其產(chǎn)品出貨量持續(xù)增長,市場份額穩(wěn)步提升。該公司持續(xù)加大研發(fā)投入,一季度研發(fā)支出達4494萬元,占營收的11.02%,并積極推動光學(xué)級碳化硅在AR眼鏡等新領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

在外延片環(huán)節(jié),華為投資了東莞天域半導(dǎo)體科技公司。根據(jù)其最新的IPO招股書披露,天域半導(dǎo)體在2025年前五個月的營業(yè)收入為人民幣2.57億元,凈利潤為人民幣951.5萬元。2024年全年營業(yè)收入為人民幣5.20億元,凈虧損為人民幣5.00億元;2023年全年營業(yè)收入為人民幣11.71億元,凈利潤為人民幣9588.2萬元。

圖片來源:天域半導(dǎo)體招股書

此外,在碳化硅器件設(shè)計與制造方面,華為投資了東微半導(dǎo)體、瀚薪科技;而在基于碳化硅的電力電子產(chǎn)品及解決方案方面,則投資了英飛源、杰華特微電子和易沖半導(dǎo)體等相關(guān)企業(yè)。

華為對碳化硅技術(shù)的投入已在其核心業(yè)務(wù)中展現(xiàn)出顯著成效。在數(shù)字能源與電動汽車(EV)領(lǐng)域,華為積極部署碳化硅技術(shù),特別是在其DriveONE電驅(qū)平臺中。通過將高性能碳化硅器件與智能溫控算法深度融合,該平臺的電機控制單元(MCU)效率成功突破了99.5%的行業(yè)上限。

截至2024年底,華為的超高效高壓碳化硅動力總成已在多個汽車制造商處實現(xiàn)規(guī)?;逃茫塾嫲l(fā)貨量超過130萬套。

(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

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