文章分類： 碳化硅SiC

智新半導(dǎo)體1700V SiC MOSFET模塊正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 25 日 14:06 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月23日，智新半導(dǎo)體六周年暨第100萬(wàn)只模塊下線儀式舉行。 圖片來(lái)源：智新科技 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來(lái)，智新半導(dǎo)體體系能力持續(xù)增強(qiáng)，產(chǎn)品平臺(tái)不斷豐富，今年銷量同比大幅增長(zhǎng)，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領(lǐng)先功率模塊產(chǎn)品填補(bǔ)了東風(fēng)空白，應(yīng)用于多款新...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成并購(gòu)過(guò)會(huì)，SiC芯片版圖戰(zhàn)略再升級(jí)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 25 日 14:05 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月24日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)集成”）發(fā)布公告稱，公司發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購(gòu)買#芯聯(lián)越州 集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)越州”）72.33%股權(quán)項(xiàng)目獲上海證券交易所并購(gòu)重組審核委員會(huì)審議通過(guò)。 圖片來(lái)源：芯聯(lián)集成公告截圖 此次并購(gòu)重組的順利...  [詳內(nèi)文]

15億投建，這一8英寸碳化硅產(chǎn)線完成備案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 25 日 14:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月20日，浙江省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái)發(fā)布了浙江晶瑞電子材料有限公司年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產(chǎn)線項(xiàng)目的備案公示。該生產(chǎn)線規(guī)劃年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將提升國(guó)內(nèi)碳化硅材料的自給率，助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的快速發(fā)展。 圖片來(lái)源：備案公示截圖 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)材料巨頭攜手日本百年陶瓷技術(shù)企業(yè)：聯(lián)合開發(fā)碳化硅新產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:23 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，韓國(guó)LG化學(xué)與日本Noritake共同宣布，成功開發(fā)出專用于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的高性能銀漿。該產(chǎn)品可耐受300℃高溫環(huán)境，有助于解決電動(dòng)車功率模塊長(zhǎng)期面臨的芯片粘合技術(shù)瓶頸，為下一代800V高壓平臺(tái)及自動(dòng)駕駛系統(tǒng)提供了關(guān)鍵材料支撐。 圖片來(lái)源：LG化學(xué) LG ...  [詳內(nèi)文]

三個(gè)碳化硅項(xiàng)目披露最新進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 19 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，包括漢京半導(dǎo)體基地項(xiàng)目、重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目、賽美特碳化硅模組CIM項(xiàng)目 在內(nèi)的三個(gè)碳化硅項(xiàng)目披露最新進(jìn)展。 1、漢京半導(dǎo)體基地項(xiàng)目今年10月試投產(chǎn) 6月19日，據(jù)遼寧日?qǐng)?bào)消息，占地面積9.6萬(wàn)平方米的遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“漢京半導(dǎo)體”）產(chǎn)業(yè)基地已...  [詳內(nèi)文]

鈞聯(lián)電子碳化硅控制器應(yīng)用于全球首款量產(chǎn)飛行汽車

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 19 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，據(jù)鈞聯(lián)電子官方消息，其與廣汽高域聯(lián)合開發(fā)的碳化硅（SiC）電動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)控制器已成功應(yīng)用于廣汽高域GOVY AirCab飛行汽車。該飛行器被定義為全球首款量產(chǎn)型無(wú)人駕駛多旋翼eVTOL（電動(dòng)垂直起降）航空器，并于日前正式發(fā)布。 圖片來(lái)源：JLAE鈞聯(lián)電子 鈞聯(lián)電子自2023年...  [詳內(nèi)文]

AR眼鏡再添新馬達(dá)，中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室展開合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:54 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中電化合物”）與甬江實(shí)驗(yàn)室正式簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。此次合作標(biāo)志著雙方將在AR眼鏡用光學(xué)碳化硅（SiC）晶片領(lǐng)域展開深度研發(fā)合作，共同推動(dòng)SiC材料在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為下一代智能穿戴設(shè)備提供更優(yōu)的光學(xué)解決方案。 ...  [詳內(nèi)文]

碳化硅IDM企業(yè)芯片，成功上車！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 17 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月13日，芯聚能半導(dǎo)體官微宣布，其在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性飛躍，公司自主設(shè)計(jì)的車規(guī)級(jí)SiC芯片已正式規(guī)模化導(dǎo)入主驅(qū)動(dòng)模塊產(chǎn)線，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)首次成功實(shí)現(xiàn)“芯片設(shè)計(jì)-模塊制造-整車驗(yàn)證”全鏈條自主可控，并已批量上車應(yīng)用。 圖片來(lái)源：芯粵能 這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 16 日 13:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會(huì)議上，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)宣布，其基于電荷平衡理論，通過(guò)對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時(shí)，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]