5月9日，揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）宣布其SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目正式開工。 source：揚杰科技 該項目總投資10億元人民幣，聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在通過技術(shù)突破實...  [詳內(nèi)文]

近日，中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡稱“寧波材料所”）宣布，其研發(fā)的高結(jié)晶連續(xù)碳化硅纖維（NIMTE-S13）在性能上實現(xiàn)了重大突破。經(jīng)中國合格評定國家認可委員會（CNAS）認證的第三方檢測機構(gòu)驗證，NIMTE-S13的平均拉伸強度達到2.4 GPa，拉伸模量為440...  [詳內(nèi)文]

5月8日，#英飛凌?發(fā)布2025財年第二季度的財報（截至2025年3月31日），該季度英飛凌營收為35.91億歐元，利潤為6.01億歐元，利潤率16.7%。 source：英飛凌 受國際形勢影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預計第三財季營收37億歐元，市場預估3...  [詳內(nèi)文]

在半導體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領域。近年，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績。近期，國內(nèi)三家公司8英寸碳化硅領域傳出新進展。 01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn) 近期，南京日報深度對話超芯星聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性，正成為新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領域的技術(shù)變革引擎。 近期，基本半導體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求；英飛凌則將基于溝...  [詳內(nèi)文]

5月6日，安森美（onsemi）公布了截至2025年4月4日的首個財政季度業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，其首財季的收入為14.46億美元，同比下滑22.4%（去年同期為18.63億美元）。盈利方面，安森美半導體本季度凈虧損4.86億美元，合每股虧損1.15美元。去年同期，公司凈利潤為4.53億...  [詳內(nèi)文]

近期，#日本羅姆株式會社?與#三菱電機株式會社?相繼推出基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半導體模塊，分別聚焦電動汽車與家用電器領域。作為第三代半導體技術(shù)的代表，碳化硅憑借耐高壓、低損耗等特性，正持續(xù)拓展其在新能源與消費電子領域的應用邊界。 羅姆開發(fā)新型碳化硅半導體 日本半導體制...  [詳內(nèi)文]

碳化硅作為第三代半導體材料的核心代表，正以其耐高壓、高頻、高效等特性重塑全球功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，吸引各國爭相投入研發(fā)。中國碳化硅技術(shù)研發(fā)進展順利，近期，兩項碳化硅技術(shù)迎來新突破。 1、連科半導體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達到國際領先水平 “連城數(shù)控”官微消息，近期，中...  [詳內(nèi)文]