近日，國星光電受第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)（CASAS）邀請參與了《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法》兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的起草與草案討論（線上），助力加速第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進(jìn)程。
《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法》兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）管理委員會(huì)審核，兩項(xiàng)提案均立項(xiàng)通過[1]。
兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)草案
《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學(xué)法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗(yàn)方法》標(biāo)準(zhǔn)草案線上討論會(huì)于5月26日、6月10日先后召開，國星光電研究院代表參加了標(biāo)準(zhǔn)的線上討論并對標(biāo)準(zhǔn)修訂提出了重要建議與意見。兩次線上研討會(huì)共計(jì)有三十多人（次）來自產(chǎn)學(xué)研不同領(lǐng)域的專家代表參與。
SiC（碳化硅）材料對比傳統(tǒng)的Si（硅）材料，具備電性能和熱性能優(yōu)越、雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等特點(diǎn)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)可以適配更大的功率密度，更小的產(chǎn)品體型。然SiC的材料性能與Si的材料性能相差甚大，傳統(tǒng)Si的熱阻及可靠性測試方式并不都適合SiC材料的器件產(chǎn)品。SiC器件的熱阻測試與功率循環(huán)測試評估，對SiC MOSFET器件的可靠性與分析改進(jìn)具備非常重要的意義。
近期，國星光電的TO系列產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機(jī)構(gòu)，完成了相關(guān)工業(yè)級可靠性測試，SiC產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)展，目前SiC-TO產(chǎn)品已開發(fā)完成5種封裝大類的開發(fā)（TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6），建設(shè)6個(gè)系列化產(chǎn)品線：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、內(nèi)絕緣型SiC-SBD/MOS 系列。
以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料的開發(fā)與應(yīng)用已寫入“十四五規(guī)劃”，國家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進(jìn)著。隨著航天、航空、石油勘探、核能、汽車等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展，尤其是新能源汽車的快速發(fā)展，在國產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動(dòng)下，我國半導(dǎo)體市場持續(xù)不斷地升溫。國星光電也在大力布局“三代半封測”業(yè)務(wù)，積極持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，望在國產(chǎn)替代的偉大宏圖上貢獻(xiàn)國星力量，為廣晟集團(tuán)奮進(jìn)世界500強(qiáng)注入強(qiáng)勁動(dòng)能。（來源：國星光電）
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