安森美半導體公司高管周二表示，該公司正在考慮投資 20 億美元用于提高廣泛用于幫助擴大電動汽車續(xù)航里程的碳化硅芯片的生產(chǎn)。公司高管在分析師介紹中表示，公司正在考慮在美國、捷克共和國或韓國進行擴張。該公司已經(jīng)在這些國家/地區(qū)中的每一個國家/地區(qū)設有工廠。
ON Semiconductor 是汽車行業(yè)的長期供應商，既供應用于電動汽車傳動系統(tǒng)的芯片，也供應廣泛的其他芯片，如有助于駕駛輔助系統(tǒng)的攝像頭和傳感器。該公司一半以上的芯片都在內(nèi)部生產(chǎn)，并投資了一條完整的節(jié)能碳化硅芯片供應鏈，在內(nèi)部生產(chǎn)原材料和成品芯片。
安森美半導體首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 在接受采訪時表示，該公司的碳化硅芯片生產(chǎn)目前集中在其位于韓國富川市的一家工廠。該公司計劃尋找“端到端”生產(chǎn)方式，這意味著無論選擇哪個地點，都可以將原始碳化硅粉末轉(zhuǎn)化為芯片。
El-Khoury 表示，在多個地方復制整個生產(chǎn)過程已成為汽車制造商的一個重要賣點，他們從 2021 年開始仍持謹慎態(tài)度，當時芯片重鎮(zhèn)德克薩斯州的凍結和亞洲芯片供應商的短缺導致汽車生產(chǎn)停產(chǎn)線。
“擁有一個地理分布的供應鏈總是好的，”El-Khoury 說。
在周四的金融分析師日上，高管們表示，他們的目標是到 2027 年占據(jù)碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。該公司預測，該領域和其他領域的增長將幫助其收入以 10% 至 12% 的復合年增長率增長，銷售額從 2022 年的 83 億美元擴大到 2027 年的中值 139 億美元。
同期，安森美半導體預計自由現(xiàn)金流將從 2022 年的 16 億美元擴大到 2027 年的 35 億美元至 40 億美元。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
下一步，溝槽式SiC
據(jù)報道，Onsemi 正在開發(fā)使用溝槽結構而不是平面結構的碳化硅 MOSFET，將于今年晚些時候推出，預計 2024 年會出樣。
該公司在捷克共和國布爾諾附近擁有 SiC 外延片工廠，并在韓國的一家晶圓廠進行設備制造。轉(zhuǎn)向溝槽結構允許在 150 毫米（6 英寸）晶圓上構建更多器件，從而降低器件成本。該公司還有一個用于 200 毫米（8 英寸）SiC 晶圓生產(chǎn)的工程計劃。
這是繼公司推出導通電阻更低的最新一代 1200 V EliteSiC M3S 器件之后做出的決定 . 這些產(chǎn)品針對 800 V 電動汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 和能源基礎設施應用，例如 EV 充電、太陽能和儲能系統(tǒng)。
EliteSiC M3S 器件還用于采用標準 F2 封裝的低 Rds(on) 半橋功率集成模塊 (PIM)。這些模塊針對工業(yè)應用，非常適合 DC-AC、AC-DC 和 DC-DC 大功率轉(zhuǎn)換級。它們通過優(yōu)化的直接鍵合銅設計提供更高級別的集成，以實現(xiàn)并聯(lián)開關之間的平衡電流共享和熱分布。PIM 旨在為能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源 (UPS) 提供高功率密度。
“onsemi 最新一代的汽車和工業(yè) EliteSiC M3S 產(chǎn)品將使設計人員能夠減少他們的應用足跡和系統(tǒng)冷卻要求，”onsemi 高級副總裁兼高級電源部門總經(jīng)理 Asif Jakwani 說?！斑@有助于設計人員開發(fā)具有更高效率和更高功率密度的大功率轉(zhuǎn)換器?！?/p>
符合汽車標準的 1200 V EliteSiC MOSFET 專為高達 22 kW 的大功率 OBC 和高壓至低壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器量身定制。M3S 技術專為高速開關應用而開發(fā)，具有 XXX 的開關損耗品質(zhì)因數(shù)。（文：半導體行業(yè)觀察編譯自CNA）
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