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愛(ài)科思達(dá)第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 16 日 15:13 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工業(yè)集團(tuán)與深圳愛(ài)科思達(dá)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“愛(ài)科思達(dá)”）在舉行“智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目”簽約儀式。 圖片來(lái)源：中山火炬工業(yè)集團(tuán) 據(jù)悉，愛(ài)科思達(dá)建設(shè)打造的智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目，擬投資8億元，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)新增產(chǎn)值超10億元，稅收超5000萬(wàn)元。項(xiàng)目建成...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的2022
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 15 日 17:33 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，又泛起了波瀾。 芯片制造實(shí)力被視為是未來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心，而半導(dǎo)體設(shè)備作為芯片制造的關(guān)鍵，是近幾年討論的熱門話題，尤其是隨著美國(guó)對(duì)華制裁的推進(jìn)，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域更是被推上了風(fēng)口浪尖。國(guó)際設(shè)備巨頭相繼開(kāi)始弱化中國(guó)市場(chǎng)，以期減少美國(guó)的對(duì)華出口限制的沉重負(fù)擔(dān)。 與...  [詳內(nèi)文]

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開(kāi)關(guān)器件性能
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]

汽車芯片巨頭大舉擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 14 日 17:21 | 分類 碳化硅SiC
當(dāng)前，隨著全球消費(fèi)市場(chǎng)上手機(jī)、PC等產(chǎn)品需求日益低迷，行業(yè)廠商正為難以消化的大量芯片庫(kù)存而感到煩惱。 而汽車芯片的繁榮與其他賽道的急劇下滑形成鮮明對(duì)比，向電動(dòng)化和智能化方向發(fā)展的汽車市場(chǎng)正涌現(xiàn)出對(duì)芯片的巨大需求。 縱觀全球半導(dǎo)體頭部大廠，近期財(cái)報(bào)都一定程度受到逆風(fēng)環(huán)境所影響，但汽...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目在列，蘇州發(fā)布2023重點(diǎn)項(xiàng)目清單
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 14 日 17:13 | 分類 氮化鎵GaN
近日，蘇州發(fā)改委發(fā)布《2023年蘇州市重點(diǎn)項(xiàng)目清單》。2023年，蘇州安排市重點(diǎn)項(xiàng)目468個(gè)，其中418個(gè)實(shí)施項(xiàng)目，總投資1.27萬(wàn)億元，年度計(jì)劃投資2301億元；儲(chǔ)備項(xiàng)目50個(gè)，總投資1732億元。 按項(xiàng)目類別看，清單共有141個(gè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及電子信息、高端裝備、新材...  [詳內(nèi)文]

2022年第四季前十大晶圓代工產(chǎn)值環(huán)比減少4.7%，今年第一季持續(xù)下滑
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 13 日 17:35 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，雖終端品牌客戶自2022年第二季起便陸續(xù)啟動(dòng)庫(kù)存修正，但由于晶圓代工位于產(chǎn)業(yè)鏈上游，加上部分長(zhǎng)期合約難以迅速調(diào)整，因此除部分二、三線晶圓代工業(yè)者能因應(yīng)客戶需求變化，實(shí)時(shí)反應(yīng)進(jìn)行調(diào)整。 其中又以八英寸廠較明顯，其余業(yè)者產(chǎn)能利用率修正自去年第四...  [詳內(nèi)文]

三代半“上車”，國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 13 日 17:33 | 分類 碳化硅SiC
近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。 01、提升性能，做實(shí)高品質(zhì)產(chǎn)品 通過(guò)認(rèn)證的...  [詳內(nèi)文]

東尼電子2022年凈利增長(zhǎng)223.36%，但碳化硅襯底仍承壓
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 13 日 16:45 | 分類 碳化硅SiC
3月11日，東尼電子披露2022年年度報(bào)告稱，2022年消費(fèi)電子、光伏、醫(yī)療、新能源業(yè)務(wù)均保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，營(yíng)業(yè)收入和毛利同比均有提升；半導(dǎo)體業(yè)務(wù)開(kāi)始小批量供貨，形成少量營(yíng)收。 最終，東尼電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入18.89億元，同比增長(zhǎng)41.04%；歸母凈利潤(rùn)1.08億元，同比增長(zhǎng)223....  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。 圖片來(lái)源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

傳三星將為英飛凌代工功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒昨日（3/10）日?qǐng)?bào)道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開(kāi)始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來(lái)有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。 韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在...  [詳內(nèi)文]