文章分類： 功率

順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 10 日 9:36 |
| 分類: 功率
據(jù)石峰發(fā)布消息，近日，株洲市石峰區(qū)舉行順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約儀式。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目位于田心高科園，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發(fā)電用IGBT模塊等。 該項目總投資7.5億元，...  [詳內(nèi)文]

吉利等國產(chǎn)車企向SiC狂奔！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 10 日 9:32 |
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根據(jù)企查查顯示，浙江晶進集成電路有限公司于近日成立，該公司法定代表人為潘運濱，注冊資本1.5億元，經(jīng)營范圍包含：集成電路制造、半導體分立器件制造、電子元器件制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、電子產(chǎn)品銷售等。 企查查股權(quán)穿透顯示，該公司由浙江晶能微電子有限公司（下文簡稱“晶能微電子”）...  [詳內(nèi)文]

東風汽車入股！SiC企業(yè)長飛先進注冊資本增至2.92億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 09 日 15:40 |
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近日，據(jù)天眼查信息，第三代半導體功率器件制造廠商安徽長飛先進半導體有限公司（以下簡稱“長飛先進”）發(fā)生工商變更，新增東風汽車旗下信之風（武漢）股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、安徽省皖能海通雙碳產(chǎn)業(yè)并購投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等多位股東。同時，長飛先進的注冊資本由約1.50億...  [詳內(nèi)文]

SiC功率半導體公司忱芯科技完成了億元戰(zhàn)略融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 08 日 17:45 |
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10月8日，忱芯科技有限公司（下文簡稱“忱芯科技”）官方公眾號發(fā)文稱，公司已完成億元戰(zhàn)略融資，本輪融資由火山石投資、華潤旗下潤科基金、老股東武岳峰科創(chuàng)聯(lián)合投資，融資資金將主要用于忱芯科技前瞻產(chǎn)品的研發(fā)，以及量產(chǎn)產(chǎn)品的全球化布局。 據(jù)悉，忱芯科技于2020年在上海成立，是一家專注功...  [詳內(nèi)文]

SiC測試設備公司Aeh上季度營業(yè)收入2060萬美元，同比增長93%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 07 日 17:45 |
| 分類: 功率
半導體測試和生產(chǎn)老化設備制造商Aeh公布了截至2023年8月31日的2024財年第一季度財務業(yè)績。該季度的營業(yè)收入為 2060 （1.5億元）萬美元，非 GAAP 凈利潤為 520 （3800萬元）萬美元，GAAP凈收益為470（3433萬元）萬美元。 對于截至 2024 年 5...  [詳內(nèi)文]

南方科技大學團隊在GaN放大功率器件中獲得進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
| 分類: 功率
9月25日，南方科技大學深港微電子學院官方公眾號發(fā)文稱，深港微電子學院助理教授方小虎團隊在GaN MMIC高效率C波段F類功率放大器和高效率寬帶毫米波功率放大器研究領域中取得進展。 高效率C波段F類功率放大器 C波段(4-8 GHz)射頻功率放大器是遠距離無線能量傳輸、合成孔徑雷...  [詳內(nèi)文]

車用GaN需求攀升，國產(chǎn)企業(yè)有望搶占先機

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 17:45 |
| 分類: 功率
1. 在材料特性的支持下，車用GaN元件的競爭優(yōu)勢將日益顯著 憑借優(yōu)異的材料特性，SiC元件正加速導入汽車、再生能源、電源PFC等領域，而GaN元件亦在終端設備的快速充電領域大放異彩；此外，在汽車、網(wǎng)絡通訊領域，GaN元件的能見度也越來越高。 在電動車搭載的牽引逆變器、車載充電器...  [詳內(nèi)文]

SiC和GaN，這個問題不容忽視

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 26 日 10:13 |
| 分類: 功率
在談到SiC和GaN這些炙手可熱的寬禁帶材料的時候，大家首先想到是其領先的特性，這讓它們在不少市場能尋找到一席之地。來到技術(shù)層面，讀者們可能對其襯底、外延、制造工藝、晶圓尺寸甚至制造設備等都有廣泛的關注。 其實，對于GaN和SiC，還有一個少被提及，但又非常重要的一環(huán)，那就是測試...  [詳內(nèi)文]

英飛凌與深圳英飛源技術(shù)（Infypower）達成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 17:45 | | 分類: 功率
北京時間9月20日，英飛凌宣布與深圳英飛源（Infypower）合作，其將為 INFY 提供業(yè)界領先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導體器件，以提高電動汽車充電站的效率。 據(jù)介紹，通過集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower...  [詳內(nèi)文]

國星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 22 日 16:45 |
| 分類: 功率
9月20日，國星光電聯(lián)合佛山照明智達電工科技有限公司（以下簡稱“佛照電工”）開發(fā)的基于第三代半導體氮化鎵應用墻插快充產(chǎn)品正式面世。 據(jù)介紹，國星光電與佛照電工聯(lián)合推出的86面板墻插產(chǎn)品，采用了國星光電33W氮化鎵技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化鎵墻插...  [詳內(nèi)文]