文章分類： 功率

SiC和GaN雙管齊下，中瓷電子在化合物半導(dǎo)體賽道開始發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 21 日 14:57 |
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9月19日，中瓷電子在互動(dòng)平臺(tái)表示，子公司北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱“國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾”）第三代半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線已基本建成，目前產(chǎn)線場(chǎng)地及主要設(shè)備已基本具備月產(chǎn)2000片SiC晶圓的能力，產(chǎn)能正在逐步達(dá)產(chǎn)中。 國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾主要從事氮化鎵射頻芯片和碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、測(cè) 試、銷...  [詳內(nèi)文]

芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目封頂，計(jì)劃2024年通線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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9月16日，芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目封頂儀式舉行，此次FAB廠房封頂意味著項(xiàng)目建設(shè)取得了階段性成果。 據(jù)官微介紹，芯投微電子濾波器研發(fā)生產(chǎn)總部項(xiàng)目位于安徽省合肥市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，于2022年12月正式開工建設(shè)，計(jì)劃2024年通線投產(chǎn)。項(xiàng)目建成初期將聚焦射頻濾波器設(shè)計(jì)、...  [詳內(nèi)文]

浙江南潯發(fā)布泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，力爭(zhēng)2025年產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破50億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 |
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新民晚報(bào)消息，9月16日，浙江湖州市南潯區(qū)發(fā)布《湖州市南潯區(qū)泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，長(zhǎng)三角泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園揭牌成立。 根據(jù)《湖州市南潯區(qū)泛半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，南潯將積極導(dǎo)入長(zhǎng)三角核心城市關(guān)鍵資源，重點(diǎn)布局半導(dǎo)體涉化材料、封測(cè)產(chǎn)業(yè)、新型顯示、面向上海的芯片設(shè)計(jì)服務(wù)...  [詳內(nèi)文]

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)驗(yàn)證并可小規(guī)模量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
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近日，無(wú)錫新潔能股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“新潔能”）在互動(dòng)平臺(tái)表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺(tái)，用于新能源汽車OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)及自動(dòng)化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過(guò)客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]

最高5000萬(wàn)元資助，深圳大力發(fā)展半導(dǎo)體等領(lǐng)域關(guān)鍵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
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9月13日，深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市發(fā)展和改革委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)，三部門聯(lián)合印發(fā)《深圳市關(guān)于推動(dòng)新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（以下簡(jiǎn)稱“《若干措施》”），推動(dòng)新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展。本措施自2023年9月13日起實(shí)施，有效期5年。 source：深圳市工...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)將交付用于5G 基站的GaN功率放大模塊樣品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
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9月13日，三菱機(jī)電股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“三菱電機(jī)”）宣布，9月21日起，用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模塊樣品將大量出貨。該GaN功率放大模塊在 400 MHz 的寬頻率范圍內(nèi)可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [詳內(nèi)文]

河北出臺(tái)新政，支持第三代半導(dǎo)體等細(xì)分行業(yè)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
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近日，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡(jiǎn)稱《若干措施》），提出加快第三代半導(dǎo)體、新型顯示等細(xì)分行業(yè)發(fā)展。以下是該政策的部分內(nèi)容： 第三代半導(dǎo)體 支持設(shè)計(jì)研發(fā)驗(yàn)證。對(duì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，其研發(fā)設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品通過(guò)用戶...  [詳內(nèi)文]

SiC乘著光伏的東風(fēng)狂飆！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
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在新能源產(chǎn)業(yè)井噴的大背景下，SiC也跟著炙手可熱，SiC上車已經(jīng)不是趨勢(shì)而是事實(shí)，而在光伏領(lǐng)域，SiC也在加快前進(jìn)步伐。 光伏發(fā)電并網(wǎng)的過(guò)程中，為了實(shí)現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定、高效運(yùn)行，對(duì)逆變器的要求會(huì)變得更嚴(yán)格，傳統(tǒng)硅基器件由于材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場(chǎng)景的應(yīng)用，而Si...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，助力沃爾沃汽車！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 |
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9月7日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。 為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，...  [詳內(nèi)文]

納微計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)SiC/GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
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據(jù)外媒報(bào)道，納微半導(dǎo)體正計(jì)劃在歐洲和美國(guó)擴(kuò)大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力，以減少對(duì)臺(tái)廠的依賴。 據(jù)悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺(tái)積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國(guó)德州（Lubbock, Texas）工廠生產(chǎn)，GaN在臺(tái)積電的...  [詳內(nèi)文]