寬禁帶半導(dǎo)體也稱第三代半導(dǎo)體,包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等,憑借其優(yōu)異的性能,成為世界范圍內(nèi)的“兵家必爭(zhēng)之地”。
近年來(lái),我國(guó)也高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)研發(fā)。院校研發(fā)不斷突破,企業(yè)產(chǎn)線加速量產(chǎn),國(guó)家政策持續(xù)加碼,產(chǎn)業(yè)進(jìn)入成長(zhǎng)期。
與機(jī)遇一同迎來(lái)的是挑戰(zhàn)。如碳化硅...  [詳內(nèi)文]
【會(huì)議預(yù)告】北京大學(xué)沈波教授:中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與機(jī)遇 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 05 月 10 日 17:55 | 分類 碳化硅SiC |