據(jù)外媒報(bào)道，6月19日，韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開(kāi)發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)。
因GaN具有高速開(kāi)關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（S... [詳內(nèi)文]
啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)650V GaN HEMT |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分類 企業(yè) |