據(jù)外媒報(bào)道，6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開發(fā)。
因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（Si）基半導(dǎo)體具有更低的損耗、更高的效率和小型化。其主要應(yīng)用于電源、混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等。
SK Key Foundry計(jì)劃為現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體用戶推廣650V GaN HEMT，同時(shí)發(fā)掘新客戶。此外，該公司還計(jì)劃增加一個(gè)GaN產(chǎn)品組合，為GaN HEMT和GaN IC提供各種電壓。
SK Key Foundry首席執(zhí)行官Lee Dong-jae表示：“除了具有競(jìng)爭(zhēng)力的高壓BCD之外，我們還在為下一代功率半導(dǎo)體做準(zhǔn)備。未來，我們還將擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，除了GaN還有SiC，將自己打造成一家專業(yè)的功率半導(dǎo)體代工廠?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）
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