Tag Archives: 科友半導體

降本70%，科友半導體碳化硅單晶厚度再突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 31 日 18:29 | 分類 碳化硅SiC
近兩年來，碳化硅（SiC）設備、材料廠商科友半導體呈現(xiàn)出較為快速的發(fā)展勢頭，在大尺寸SiC單晶、襯底生產與業(yè)務拓展方面持續(xù)傳來好消息。近日，該公司又公布了一項重要突破。 5月29日，科友半導體宣布，公司自主研發(fā)的電阻長晶爐成功制備出多顆中心厚度超過80mm、薄點厚度超過60mm的...  [詳內文]

提升良率，科友半導體開展8英寸SiC完美籽晶項目
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)
科友半導體近期剛剛與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂金額超2億元人民幣長單，近日其又與一家歐洲公司圍繞完美籽晶研發(fā)達成戰(zhàn)略合作。 據(jù)“科友半導體”官微消息，3月27日，科友半導體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。據(jù)稱，俄羅斯N公司在晶體缺陷密度...  [詳內文]

超2億，SiC襯底廠商科友半導體簽下長單
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 19 日 17:10 | 分類 企業(yè)
近期，國內碳化硅（SiC）襯底廠商哈爾濱科友半導體產業(yè)裝備與技術研究院有限公司（以下簡稱科友半導體）與歐洲一家國際知名企業(yè)簽訂長單，簽約額超過2億元人民幣。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)科友半導體技術總監(jiān)張勝濤介紹，科友半導體的產品已經(jīng)通過了客戶的前期驗證，正在進行長訂單的生產...  [詳內文]

科友半導體8英寸SiC襯底項目通過中期驗收
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 13 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月10日上午，科友半導體承擔的“8英寸碳化硅（SiC）襯底材料裝備開發(fā)及產業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會在哈爾濱市松北區(qū)召開。評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸SiC單晶生長的新技術和新工藝，建立了SiC襯底生產的工藝流程，...  [詳內文]

科友半導體首批8英寸SiC襯底下線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 17 日 17:38 | 分類 碳化硅SiC
在大尺寸材料愈加受到青睞之際，國產碳化硅SiC襯底企業(yè)開啟快速追趕國際廠商的模式，不斷在8英寸SiC襯底領域取得突破。 截至目前，已有超10家國產企業(yè)研發(fā)出8英寸SiC襯底，并在此基礎上加快產業(yè)化的進程，包括爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學...  [詳內文]