據北京順義消息，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產業(yè)化方面實現新突破，已領先于國際同類產品標準。
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銘鎵半導體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米... [詳內文]
銘鎵半導體在氧化鎵材料方面實現新突破 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè) |