據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領先于國際同類產(chǎn)品標準。
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銘鎵半導體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米×25毫米尺寸，而銘鎵半導體可以做到40毫米×25毫米尺寸，可穩(wěn)定生產(chǎn)多爐且累計一定庫存。導電型（001）錫摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際上可達到4英寸，銘鎵半導體已實現(xiàn)大尺寸襯底工藝突破，并將逐步穩(wěn)定工藝供貨。
據(jù)官網(wǎng)介紹，銘鎵半導體致力于研發(fā)和生產(chǎn)新型半導體人工晶體材料，包括第四代半導體材料氧化鎵、高頻磷化銦晶體和大尺寸摻雜光學晶體。（來源：全球半導體觀察整理 ）
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