8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)與長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。 長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資約100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等...  [詳內(nèi)文]