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從GaAs產(chǎn)能來看2024年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重塑

作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 11 日 15:04 | 分類 功率
進入2024年,砷化鎵產(chǎn)能需求在持續(xù)增長。 記得在2023年第二季度的時候,砷化鎵產(chǎn)能非??杖?,全球第一大砷化鎵代工廠穩(wěn)懋產(chǎn)能利用率只有30%。當時我就意識到,到第四季度砷化鎵產(chǎn)能可能會出現(xiàn)緊張現(xiàn)象。于是,跟公司業(yè)務(wù)討論完市場需求后,在第三季度進行了備貨,確保安全庫存。 站在去年...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺

作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 30 日 17:40 | 分類 功率
上海新微半導(dǎo)體有限公司(下文簡稱“新微半導(dǎo)體”)于昨日(10/26)宣布基于6吋砷化鎵(GaAs)晶圓材料的增強/耗盡型(Enhancement/Depletion Mode)pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發(fā)完成。 該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內(nèi)文]