相關(guān)資訊：MOSFET

深圳/香港，碳化硅技術(shù)研究迎來新進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 14:30 | 分類 射頻 , 碳化硅SiC
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場價值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進展曝光。 深圳平湖實驗室SiC襯底激...  [詳內(nèi)文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 14:27 | 分類 功率
據(jù)韓媒ETnews報道，3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。 source：Power Cube Semi 據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]

出資2250萬歐元，X-FAB擬收購MOSFET公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 04 日 16:47 | 分類 企業(yè)
近日，SiC晶圓代工龍頭X-FAB發(fā)布公告稱，公司計劃出資2250萬歐元（折合人民幣約1.76億元）收購M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited（以下簡稱M-MOS）的全部股份。 據(jù)介紹，M-MOS是一家專注于MOSFET技術(shù)開發(fā)的無晶圓廠（Fa...  [詳內(nèi)文]