南京,發(fā)力第三代半導體

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 03 日 18:16 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

在近期舉辦的第四屆中國(南京)新賽道大會上,《中國新賽道體系發(fā)展報告2025》發(fā)布,報告提出2025年“年度十大潛力新賽道”,分別是生成式AI、具身智能、商業(yè)航天、生物制造、第三代半導體、新型儲能、低空經(jīng)濟、量子科技、腦機接口與6G。

未來網(wǎng)絡、第三代半導體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。

第三代半導體領域,南京已經(jīng)將第三代半導體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),出臺專項政策扶持,江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導體作為重點發(fā)展方向,打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅方面,依托南京大學、東南大學、南京理工大學等高校,南京持續(xù)推進碳化硅器件、氮化鎵外延片等關鍵技術研發(fā)。

其中,東南大學寬帶隙半導體技術教育部重點實驗室,致力于攻克GaN垂直結構器件關鍵技術,導通電阻降低40%;南京大學電子科學與工程學院,則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術有所突破。(集邦化合物半導體整理)

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