乾照光電和武漢大學(xué)研究人員表示，他們?cè)?英寸p型硅襯底上開(kāi)發(fā)出高功率，可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他們使用具有SiO 2電流阻擋層的優(yōu)化金屬化方案實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)。此外，通過(guò)KOH濕法刻蝕對(duì)VLED的發(fā)射表面進(jìn)行表面紋理處理，提高光提取效率。
沉積的金屬化方案會(huì)在潮濕的環(huán)境中彎曲并分層，這是VLED可靠性的主要關(guān)注的問(wèn)題。在這項(xiàng)發(fā)表在《光學(xué)快報(bào)》上的研究中，研究人員證明，通過(guò)在Ag / TiW薄膜周?chē)练ePt / Ti保護(hù)層來(lái)保護(hù)界面免受環(huán)境濕度的影響，可以提高金屬化可靠性。
金屬觸點(diǎn)吸收的光是LED中光損耗源的一種來(lái)源。然而，由于半導(dǎo)體層的非理想導(dǎo)電性，大多數(shù)電流擁擠在電極附近，導(dǎo)致在電極焊盤(pán)周?chē)陌l(fā)射局部化。
研究人員表明，通過(guò)在p電極下插入SiO 2電流阻擋層可以大大緩解“電流擁擠” 。仿真結(jié)果表明，采用SiO 2電流阻擋層時(shí)，電流分布更加均勻。
研究人員還利用KOH濕法化學(xué)蝕刻技術(shù)對(duì)VLED的發(fā)射表面進(jìn)行紋理化處理，以提高光提取效率。使用KOH溶液濕法刻蝕后，高度集成的表面紋理包括周期性的半球形凹痕和六邊形金字塔。時(shí)域有限差分(FDTD)模擬表明，這種表面形態(tài)不僅減少了菲涅耳反射，而且使光以較寬的分布向外散射，從而提高了光提取效率。（來(lái)源：化合物半導(dǎo)體）
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