近期，媒體報道Resonac（原昭和電工公司）和日本東北大學正探索使用由硅晶片制造過程中產生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為SiC單晶材料的原材料。
據悉，雙方目前已經完成了基礎研究，并已開始針對實際應用的全面研究。在基礎研究中，東北大學在其碳回收示范研究中心使用微波加熱硅污泥和二氧化碳合成了SiC粉末，而Resonac則致力于將SiC粉末應用于SiC單晶襯底。
研究人員透露，如果這項技術成功商業(yè)化，SiC功率半導體不僅有助于產品節(jié)能，還可以減少制造過程中的二氧化碳排放、硅污泥和二氧化碳的回收，全面減少對環(huán)境的影響。
資料顯示，Resonac正在加速推進8英寸碳化硅晶圓的產業(yè)化。2024年9月，該公司位于山形縣東根市的“山形工廠”正式動工新建5832m2的SiC晶圓大樓（襯底+外延），預計在2025年第三季度竣工，同年量產8 英寸SiC襯底 。Resonac 8英寸SiC外延片已做到與現有6英寸產品同等級品質，樣品評估進入商業(yè)化最后階段；同時，該公司正通過優(yōu)化工藝參數和用料來壓縮生產時間、提高良率，以使8英寸的綜合成本低于6英寸。
2024年9月，Resonac與法國Soitec達成協(xié)議，將SmartSiC?鍵合襯底技術引入8英寸平臺。Resonac提供單晶SiC，Soitec負責鍵合與薄膜化，有望把單片材料成本降低50%以上。
（集邦化合物半導體整理）
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