科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅再獲突破

作者 | 發(fā)布日期 2022 年 12 月 29 日 17:47 | 分類 碳化硅SiC

今日,科友半導(dǎo)體宣布其自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出了直徑超過8英寸的碳化硅單晶,晶體表面光滑無缺陷,最大直徑超過204m。

這是科友半導(dǎo)體于今年十月在六吋碳化硅晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后,在碳化硅晶體生長尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。為實現(xiàn)下一步的8英寸碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)打下堅實的基礎(chǔ)。

8月18日,由科友半導(dǎo)體與哈爾濱新區(qū)共同投資建設(shè)的科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期正式投用。該項目總投資10億元,目前已安裝100臺長晶爐,預(yù)計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

按照發(fā)展規(guī)劃,未來兩年科友半導(dǎo)體將實現(xiàn)年產(chǎn)20~30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能,成為全球碳化硅襯底重要供應(yīng)商之一。

碳化硅襯底是制造碳化硅器件最基礎(chǔ)的材料,也是發(fā)展SiC的關(guān)鍵,沒有碳化硅襯底就無法制造出碳化硅器件。目前,以襯底和外延為主的碳化硅材料占據(jù)了整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈近70%的價值量,其中襯底價值量占比接近50%。

目前,國內(nèi)SiC 襯底主流規(guī)格分別為 4 英寸和 6 英寸,部分廠商如晶盛機電、爍科晶體、中科院物理所等已成功研發(fā)了8英寸SiC單晶。

此前,意法半導(dǎo)體表示,從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓將大幅提高產(chǎn)能,制造集成電路的有用面積提升幾乎兩倍,每個晶圓可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。

有業(yè)內(nèi)人士稱,碳化硅襯底的成本和產(chǎn)量將長期成為第三代半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵競爭核心。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理)

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