Odyssey宣布Q1開(kāi)始送樣垂直GaN功率器件

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 01 月 11 日 17:26 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN

2022年9月,美國(guó)GaN高壓垂直功率開(kāi)關(guān)器件供應(yīng)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的開(kāi)發(fā)目標(biāo),計(jì)劃在第四季度開(kāi)展樣品開(kāi)發(fā)等工作。

到了1月9日,Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直產(chǎn)品樣品已如期在去年Q4完成開(kāi)發(fā),公司將從2023年Q1開(kāi)始送樣客戶(hù)。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

 

Odyssey表示,送樣后將密切跟進(jìn)客戶(hù)對(duì)產(chǎn)品性能特點(diǎn)的反饋,期望能夠在今年Q2之前獲得客戶(hù)的訂單。后續(xù),Odyssey將持續(xù)開(kāi)發(fā)和保護(hù)垂直GaN技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán),并通過(guò)與主要客戶(hù)合作以獲得進(jìn)一步的優(yōu)勢(shì)。

Odyssey介紹,其專(zhuān)有的垂直GaN器件適用于高壓電機(jī)、太陽(yáng)能電池板和電動(dòng)汽車(chē)中的下一代800V電池組等電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。Odyssey聲稱(chēng),相比Si、SiC及水平GaN,垂直GaN技術(shù)可為應(yīng)用場(chǎng)景的性能帶來(lái)更顯著的提升。

目前,除了推進(jìn)送樣和進(jìn)一步的合作事項(xiàng),Odyssey還在準(zhǔn)備上市登陸納斯達(dá)克。(化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny編譯)

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