2022年9月，美國GaN高壓垂直功率開關(guān)器件供應(yīng)商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的開發(fā)目標(biāo)，計(jì)劃在第四季度開展樣品開發(fā)等工作。
到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直產(chǎn)品樣品已如期在去年Q4完成開發(fā)，公司將從2023年Q1開始送樣客戶。
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Odyssey表示，送樣后將密切跟進(jìn)客戶對產(chǎn)品性能特點(diǎn)的反饋，期望能夠在今年Q2之前獲得客戶的訂單。后續(xù)，Odyssey將持續(xù)開發(fā)和保護(hù)垂直GaN技術(shù)相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)，并通過與主要客戶合作以獲得進(jìn)一步的優(yōu)勢。
Odyssey介紹，其專有的垂直GaN器件適用于高壓電機(jī)、太陽能電池板和電動汽車中的下一代800V電池組等電源開關(guān)應(yīng)用。Odyssey聲稱，相比Si、SiC及水平GaN，垂直GaN技術(shù)可為應(yīng)用場景的性能帶來更顯著的提升。
目前，除了推進(jìn)送樣和進(jìn)一步的合作事項(xiàng)，Odyssey還在準(zhǔn)備上市登陸納斯達(dá)克。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny編譯）
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