3月1日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司向特定對(duì)象發(fā)行股票的申請(qǐng)已獲上交所受理。
據(jù)悉，士蘭微擬向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行A股股票，募集資金總額不超過(guò)65億元，主要用于以下項(xiàng)目：
士蘭微指出，年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目、SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）的建設(shè)是公司在高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一，是公司積極推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)轉(zhuǎn)型的重要舉措。
年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目
年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目的實(shí)施主體為公司控股子公司士蘭集昕，募集資金將通過(guò)士蘭微向士蘭集昕增資的方式投入。
該項(xiàng)目將建設(shè)形成一條年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可新增FS-IGBT功率芯片12萬(wàn)片/年、T-DPMOSFET功率芯片12萬(wàn)片/年和SGT-MOSFET功率芯片12萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。
SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目
SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目的實(shí)施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵，募集資金將通過(guò)士蘭微向士蘭明鎵增資的方式投入。值得一提的是，本次增資后，士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權(quán)。
該項(xiàng)目是在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過(guò)購(gòu)置生產(chǎn)設(shè)備提升SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)SiC MOSFET、SiC SBD芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增SiC MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、SiC SBD芯片2.4萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。
據(jù)悉，2019年起，隨著SiC MOSFET/SBD芯片在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)形成明確的應(yīng)用，同時(shí)SiC功率器件在汽車應(yīng)用領(lǐng)域得到持續(xù)推廣，士蘭微加快布局SiC MOSFET/SBD芯片和功率模塊的研發(fā)。
目前，國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)SiC功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品以SiC二極管為主，而士蘭微通過(guò)自身6英寸SiC MOSFET/SBD功率器件芯片中試線，目前已完成平面SiC MOSFET/SBD的研制，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水準(zhǔn)。同時(shí)，作為國(guó)內(nèi)主要的半導(dǎo)體IDM企業(yè)之一，士蘭微在車規(guī)級(jí)SiC功率器件的芯片設(shè)計(jì)、制造及封裝測(cè)試環(huán)節(jié)均有布局，在產(chǎn)品技術(shù)水平、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性、產(chǎn)能等方面均具備優(yōu)勢(shì)。
汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）
汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）的實(shí)施主體為士蘭微控股子公司成都士蘭，募集資金將通過(guò)公司向成都士蘭增資的方式投入。
該項(xiàng)目將在現(xiàn)有功率模塊封裝生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過(guò)購(gòu)置模塊封裝生產(chǎn)設(shè)備提升汽車級(jí)功率模塊的產(chǎn)能；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)720萬(wàn)塊汽車級(jí)功率模塊。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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