4月14日，進(jìn)化半導(dǎo)體官方正式宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團(tuán)隊(duì)擴(kuò)充。
本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，國(guó)發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機(jī)構(gòu)跟投，老股東祥峰投資繼續(xù)加注。
據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體成立于2021年5月，公司專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料，是以國(guó)際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)。
進(jìn)化半導(dǎo)體認(rèn)為，本輪融資的完成，將加快推動(dòng)氧化鎵材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，是產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局中的重大進(jìn)展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
當(dāng)下，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體頻繁受到關(guān)注，人們對(duì)碳化硅在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場(chǎng)合，以及氮化鎵在快充領(lǐng)域的應(yīng)用前景寄予厚望。
然而，第三代半導(dǎo)體并不是終點(diǎn)，氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料正在受到關(guān)注。其中，氧化鎵是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可、且已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。
氧化鎵在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢(shì)，此前已在光電領(lǐng)域得到應(yīng)用。2012年，日本報(bào)道了第一顆氧化鎵功率器件，自此，業(yè)界開始期待氧化鎵可以用于功率器件領(lǐng)域。
中國(guó)對(duì)氧化鎵的研究已經(jīng)起步，且氧化鎵已被列入“十四五重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃”，其發(fā)展備受關(guān)注，相關(guān)企業(yè)也頻繁獲得融資。
除本次融資外，進(jìn)化半導(dǎo)體還在2021年8月份完成1000萬元的天使輪融資，由祥峰投資領(lǐng)投。
2021年8月，銘鎵半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資；2022年6月，銘鎵半導(dǎo)體完成近億元A輪融資。官網(wǎng)資料顯示，銘鎵半導(dǎo)體采用自主研發(fā)和國(guó)際先進(jìn)材料生長(zhǎng)及加工設(shè)備，構(gòu)建了滿足氧化鎵單晶生長(zhǎng)、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延片生長(zhǎng)、摻雜藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)、超高頻磷化銦材料、晶體加工、芯片器件系統(tǒng)制作及檢測(cè)等技術(shù)開發(fā)和成品化規(guī)模生產(chǎn)的創(chuàng)新研發(fā)基地。
據(jù)天眼查官網(wǎng)顯示，富加鎵業(yè)分別在2020年9月、2021年4月、2021年11月、2023年1月獲得融資。據(jù)悉，富加鎵業(yè)專注于氧化鎵材料的研發(fā)，目前已經(jīng)初步建立了氧化鎵單晶材料設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)模擬仿真、單晶生長(zhǎng)、晶圓加工等全鏈路研發(fā)能力，并已推出2英寸及以下規(guī)格的氧化鎵UID（非故意摻雜）、導(dǎo)電型及絕緣型產(chǎn)品。
藍(lán)馳創(chuàng)投官微在2023年4月4日宣布鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資。據(jù)悉，鎵仁半導(dǎo)體專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并開創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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