4月14日，進化半導體官方正式宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團隊擴充。
本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，國發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機構(gòu)跟投，老股東祥峰投資繼續(xù)加注。
據(jù)悉，進化半導體成立于2021年5月，公司專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料，是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)。
進化半導體認為，本輪融資的完成，將加快推動氧化鎵材料的國產(chǎn)化進程，是產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)在新一代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局中的重大進展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
當下，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體頻繁受到關(guān)注，人們對碳化硅在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場合，以及氮化鎵在快充領(lǐng)域的應(yīng)用前景寄予厚望。
然而，第三代半導體并不是終點，氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第四代半導體材料正在受到關(guān)注。其中，氧化鎵是被國際普遍關(guān)注并認可、且已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導體材料。
氧化鎵在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢，此前已在光電領(lǐng)域得到應(yīng)用。2012年，日本報道了第一顆氧化鎵功率器件，自此，業(yè)界開始期待氧化鎵可以用于功率器件領(lǐng)域。
中國對氧化鎵的研究已經(jīng)起步，且氧化鎵已被列入“十四五重點研發(fā)計劃”，其發(fā)展備受關(guān)注，相關(guān)企業(yè)也頻繁獲得融資。
除本次融資外，進化半導體還在2021年8月份完成1000萬元的天使輪融資，由祥峰投資領(lǐng)投。
2021年8月，銘鎵半導體完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資；2022年6月，銘鎵半導體完成近億元A輪融資。官網(wǎng)資料顯示，銘鎵半導體采用自主研發(fā)和國際先進材料生長及加工設(shè)備，構(gòu)建了滿足氧化鎵單晶生長、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延片生長、摻雜藍寶石晶體生長、超高頻磷化銦材料、晶體加工、芯片器件系統(tǒng)制作及檢測等技術(shù)開發(fā)和成品化規(guī)模生產(chǎn)的創(chuàng)新研發(fā)基地。
據(jù)天眼查官網(wǎng)顯示，富加鎵業(yè)分別在2020年9月、2021年4月、2021年11月、2023年1月獲得融資。據(jù)悉，富加鎵業(yè)專注于氧化鎵材料的研發(fā)，目前已經(jīng)初步建立了氧化鎵單晶材料設(shè)計、熱場模擬仿真、單晶生長、晶圓加工等全鏈路研發(fā)能力，并已推出2英寸及以下規(guī)格的氧化鎵UID（非故意摻雜）、導電型及絕緣型產(chǎn)品。
藍馳創(chuàng)投官微在2023年4月4日宣布鎵仁半導體完成數(shù)千萬天使輪融資。據(jù)悉，鎵仁半導體專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并開創(chuàng)了非導模法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。（化合物半導體市場 Winter整理）
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