SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是衛(wèi)星通信、電動汽車、高壓輸變電、軌道交通等重要領(lǐng)域的核心材料。
SiC單晶的制備一直是全球性技術(shù)難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中最核心的技術(shù)。
如今，爍科晶體已建立起完整的SiC晶片生產(chǎn)線，突破晶體生長、切割拋光等關(guān)鍵技術(shù)，粉料純度達到99.9995%，達到國際先進水平，實現(xiàn)高純度SiC單晶的商業(yè)化量產(chǎn)。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”。
屆時，爍科晶體 總經(jīng)理助理 馬康夫?qū)⒊鱿?，給大家?guī)怼禨iC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望》主題演講，同場還有更多“重量級”嘉賓，給大家進一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來。
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